高二化學(xué)物質(zhì)結(jié)構(gòu)知識(shí)點(diǎn)
高二化學(xué)物質(zhì)結(jié)構(gòu)知識(shí)點(diǎn)
認(rèn)識(shí)化學(xué)與生活改善,了解生產(chǎn)發(fā)展、社會(huì)進(jìn)步與化學(xué)的關(guān)系。下面是學(xué)習(xí)啦小編為大家整理的高二化學(xué)物質(zhì)結(jié)構(gòu)知識(shí)點(diǎn),希望對(duì)大家有所幫助。
高二化學(xué)物質(zhì)結(jié)構(gòu)知識(shí)點(diǎn)(一)
原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)原子核:同位素、原子量——物理性質(zhì)
(1)原子(AZX)核外電子——化學(xué)性質(zhì)
(2)元素的化學(xué)性質(zhì)主要由原子最外層電子數(shù)和原子半徑?jīng)Q定。 例如:最外層電子數(shù)相等,半徑不等(同主族元素),性質(zhì)出現(xiàn)遞變性;
Li和Mg、Be和Al的最外層電子數(shù)不等,半徑相近,性質(zhì)相似。
(3)原子核外電子排布(掌握1~36號(hào)元素)
?、?能量最低原理:電子先排能量低的能層和能級(jí),然后由里往外排能量高的(能層和能級(jí)均影響電子的能量)。
?、?泡里不相容原理:每個(gè)原子軌道上最多排2個(gè)自旋相反的電子,即原子核外沒有2個(gè)電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)完全相同。
?、?洪特規(guī)則:電子在能量相同的各個(gè)軌道上排布時(shí),電子盡可能分占不同的原子軌道;
當(dāng)軌道上電子呈半滿、全滿或全空時(shí),體系能量最低。
高二化學(xué)物質(zhì)結(jié)構(gòu)知識(shí)點(diǎn)(二)
1、 極性分子和非極性分子的判斷
2、 電子排布式:基態(tài)原子、離子、價(jià)電子 元素電離能大小、規(guī)律判斷。IIA—IIIA,VA—VIA族的特性及元素化合價(jià)的判斷。
3、 元素電負(fù)性大小判斷及其應(yīng)用。
4、 晶體的空間構(gòu)型及雜化軌道數(shù)的判斷。
5、 四種晶體類別的判斷
6、 晶體溶沸點(diǎn)高低的判斷及解釋
7、 σ鍵和π鍵的相關(guān)知識(shí)。
8、 化學(xué)鍵和氫鍵的相關(guān)知識(shí)。
9、 配位鍵和配位化合物的相關(guān)知識(shí)。物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)知識(shí)點(diǎn)
高二化學(xué)物質(zhì)結(jié)構(gòu)知識(shí)點(diǎn)(三)
晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)——物理性質(zhì)
(1)晶體類型及其性質(zhì)
(2)晶體熔、沸點(diǎn)高低的比較一般規(guī)律:原子晶體>離子晶體>分子晶體。
?、?離子晶體:離子晶體的晶格能越大,則離子鍵越強(qiáng),晶體熔、沸點(diǎn)越高。 晶格能比較:陰、陽離子所帶電荷越多,半徑越小,則晶格能越大。 例如:MgO>NaCl(Mg2+半徑小,所帶電荷多)。
FeO>NaCl(Fe2+與Cl–電子層數(shù)相同,O2–與Na+電子層數(shù)相同,但FeO中離子所帶電荷數(shù)多)
?、?分子晶體:組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力越強(qiáng),晶體的熔、沸點(diǎn)越高。
例如:F2
此外,當(dāng)分子形成分子間氫鍵時(shí),分子晶體的熔、沸點(diǎn)升高。 例如:NH3、H2O、HF的熔、沸點(diǎn)均比同主族下一周期的氫化物來的高。