怎么看三星內(nèi)存條真假
想知道三星內(nèi)存條怎么查看真假嗎?下面是學(xué)習(xí)啦小編帶來怎么看三星內(nèi)存條真假的內(nèi)容，歡迎閱讀!
看三星內(nèi)存條真假方法：
要想學(xué)會識別內(nèi)存真假，首先要學(xué)會認(rèn)識產(chǎn)品標(biāo)簽。
M379B5273DHO-YKO
M：M=memory
3：3=DIMM 臺式機(jī)內(nèi)存
79：臺式機(jī)黑條
B：B=DDR3
52=DEPTH 2Gb7=8bank 1.5V3=8 bitD=30nm制程H=FBGA封裝無鉛無汞0=PCB版本 0為初版
Y=1.35V低電壓，K0=DDR3-1600
這個筆記本內(nèi)存條竟然翻譯出臺式內(nèi)存黑條是不是很搞笑。
這個是從三星下載的表格，紅色框中表示與你這個編號最為相近的顆粒，同樣表明該型號內(nèi)存需要16顆256m的顆粒才能組成單根4G的內(nèi)存條。這個內(nèi)存與貼紙的型號是不符的，所以是假貨
那是不是8顆粒的4GB內(nèi)存都是假貨呢?不是的，其實8顆粒的4G內(nèi)存條是可以做出來的。這個才是真正的8顆粒的4G內(nèi)存，規(guī)格是1333，型號為M471B5273DM0-CH9跟前面的標(biāo)號相比，首先是YK0和CH9的差別，這個沒關(guān)系，前者是1600，后者是1333，前者是1.35V，后者是1.5V，對于說明是8顆粒還是16顆粒毫無幫助。而對比前面一堆數(shù)字，發(fā)現(xiàn)，幾乎基本一樣，唯一的差別就是倒數(shù)第二個數(shù)字，前者是H，而這條真的是M參考上面DATASHEET中的解釋，M和H的區(qū)別就是M引入了一個DDP的概念這個DDP是Dual Die Package的縮寫，簡單理解就是雙核心封裝，其實就是雙核。
而這個雙核應(yīng)該是基于DIE的真雙核，而不是基于chip的膠水雙核。所以使用了DDP技術(shù)的顆粒應(yīng)該在長寬尺寸不變的情況下，在芯片的厚度上有所增加，但是是基于die的堆疊，因此厚度也不會超過太多。所以其實，這1顆儲存芯片，實際上采用的是256MB(2Gb)*2的技術(shù)。因此單顆512MB*8=4GB完美對應(yīng)。OK，這條才是真的8顆粒4G，關(guān)鍵在于那個M，本人總結(jié)：M471B5273DM0-CH9，規(guī)格是1333的8顆粒的4G內(nèi)存倒數(shù)第二個數(shù)字一定是M，不是的話，就是假的，如果是1600的規(guī)格的話除外，比如原裝內(nèi)存編號為M471B5273DH0-CK0(KO：DDR3 1600)
真正的8顆粒4G1333的顆粒編號為K4B4G0846D，這是一種采用DDP技術(shù)的單顆4Gb D型核心的顆粒，單顆規(guī)格為512M*8其實理解成(256M*8)*2更合適。
下面看下上傳的水貨條的顆粒?？梢哉f，這個顆粒跟我常見的三星內(nèi)存顆粒完全不同，常見怎么樣的，見右邊的原裝內(nèi)存。這條假的顆粒為K4B4G0846E和正常的顆粒的差別在于最后一個E，這個E是代表一種Die的封裝形式。不過從編號上看是沒有問題的。哦，還有個MCK0.好吧，M代表的是DDP，CK0可以理解成1600.從顆粒來看，這個條子似乎也滿足4G的容量。但是三星顆粒下面是不會有256M*8DDR3 K的字樣不過我沒有測試到這種假的條子，所以256M*8DDR3 到底是按單顆256MB*8顆粒=2GB，還是還要算上DDP的2倍系數(shù)就不得而知了。
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