iphone6內(nèi)存多少g
iphone6內(nèi)存多少g
蘋(píng)果公司1980年12月12日公開(kāi)招股上市，2012年創(chuàng)下6235億美元的市值記錄，截至2014年6月，蘋(píng)果公司已經(jīng)連續(xù)三年成為全球市值最大公司。下面是學(xué)習(xí)啦小編帶來(lái)的關(guān)于iphone6內(nèi)存多少g的內(nèi)容，歡迎閱讀!
iphone6內(nèi)存多少g：
iPhone6的運(yùn)存ram是1GB RAM
iPhone6的物理內(nèi)存rom有多種可供選擇16G，64G，128G
iPhone6的硬件
iPhone6采用蘋(píng)果A8+M8運(yùn)動(dòng)協(xié)處理器，主頻為1.4GHz。背后天線(xiàn)系統(tǒng)覆蓋到機(jī)身中框，弧面的金屬中框不僅加強(qiáng)機(jī)身整體圓潤(rùn)感，平衡機(jī)身設(shè)計(jì)美學(xué)的同時(shí)，也減少手機(jī)不慎跌落時(shí)對(duì)機(jī)身的緩沖力。
iPhone6的系統(tǒng)
iPhone6將搭載全新的iOS 8系統(tǒng)。雖然的界面風(fēng)格上與iOS7區(qū)別不大，但iOS8系統(tǒng)更加開(kāi)放與人性化。在鎖屏狀態(tài)下送短消息時(shí)，支持在鎖屏狀態(tài)下直接回復(fù)短信。另外在多任務(wù)欄，也可直接顯示最近的聯(lián)系人名片，并支持自定義編輯?？梢灾苯咏o他們發(fā)郵件、打電話(huà)等，大大增強(qiáng)了iOS的效率。
iphone6內(nèi)存不夠解決方法——刪除錄音(語(yǔ)音備忘錄)
語(yǔ)音備忘錄里的錄音這絕對(duì)是內(nèi)存殺手，刪除方法：打開(kāi)iphone6【語(yǔ)音備忘錄】找到錄音，點(diǎn)擊【刪除】。 iphone6內(nèi)存不夠解決方法——刪除你的瀏覽器緩存
瀏覽器的緩存同樣也是內(nèi)存殺手。我們要養(yǎng)成定期定緩存的習(xí)慣。刪除緩存方法：打開(kāi)iphone6手機(jī)【設(shè)置】，點(diǎn)擊【Safari】進(jìn)入后，選擇【清除歷史記錄與網(wǎng)站數(shù)據(jù)】。
iphone6內(nèi)存不夠解決方法——刪除你的舊手機(jī)短信
當(dāng)你發(fā)送一條帶圖片的文本消息，圖片就會(huì)存儲(chǔ)在“其他”里，刪掉它們也有利于釋放內(nèi)存。遺憾的是沒(méi)有簡(jiǎn)單的方法來(lái)大規(guī)模刪除短信，在手動(dòng)刪除時(shí)，要小心不要?jiǎng)h除重要對(duì)話(huà)的記錄哦!
iphone6內(nèi)存不夠解決方法——使用“照片流”云存儲(chǔ)照片
照片其實(shí)也是非常占內(nèi)存的，我們可以直接用iCloud同步到云端。開(kāi)啟方法如下：打開(kāi)iphone6手機(jī)【設(shè)置】點(diǎn)擊【iCloud】將【iCloud Drive】開(kāi)啟后點(diǎn)擊【照片】將照片后將【我的照片流】開(kāi)啟即可。
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在同等核心頻率下，DDR2的實(shí)際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的4BIT預(yù)讀取能力。換句話(huà)說(shuō)，雖然DDR2和DDR一樣，都采用了在時(shí)鐘的上升延和下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。也就是說(shuō)，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實(shí)際頻率為200MHz，而DDR2則可以達(dá)到400MHz。
這樣也就出現(xiàn)了另一個(gè)問(wèn)題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內(nèi)存中，后者的內(nèi)存延時(shí)要慢于前者。舉例來(lái)說(shuō)，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而后者具有高一倍的帶寬。實(shí)際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說(shuō)DDR2-400的延遲要高于DDR400。
封裝發(fā)熱量
DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于用戶(hù)們所認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。
DDR內(nèi)存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當(dāng)頻率更高時(shí)，它過(guò)長(zhǎng)的管腳就會(huì)產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容，這會(huì)影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP封裝形式，F(xiàn)BGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來(lái)頻率的發(fā)展提供了良好的保障。
DDR2內(nèi)存采用1.8V電壓，相對(duì)于DDR標(biāo)準(zhǔn)的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量，這一點(diǎn)的變化是意義重大的。
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