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iphone6機身內(nèi)存是多少

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iphone6機身內(nèi)存是多少

  蘋果公司(Apple Inc. )是美國的一家高科技公司。由史蒂夫·喬布斯、斯蒂夫·沃茲尼亞克和羅·韋恩(Ron Wayne)等三人于1976年4月1日創(chuàng)立,下面是學習啦小編帶來的關于iphone6機身內(nèi)存是多少的內(nèi)容,歡迎閱讀!

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  iPhone6+的系統(tǒng)占了3g左右的空間,而iPhone6+有16g 64g 128g三種容量版本。

  iphone6plus最大機身內(nèi)存64G,配備 64 位架構的 A8 芯片,M8 運動協(xié)處理器,5.5英寸 Retina HD 高清顯示屏 分辨率 1920 x 1080 。

  五鏡式鏡頭;混合紅外線濾鏡;背照式感光元件;藍寶石水晶鏡頭表面;自動圖像防抖動功能;自動 HDR 照片;優(yōu)化的面部識別功能;曝光控制;全景模式 (高達 4300 萬像素);連拍快照模式;輕點對焦;照片地理標記功能;計時模式。

  Phone 6采用4.7英寸屏幕,分辨率為1334*750像素,內(nèi)置64位構架的蘋果A8處理器,性能提升非常明顯;同時還搭配全新的M8協(xié)處理器,專為健康應用所設計;采用后置800萬像素鏡頭,前置120萬像素 鞠昀攝影FaceTime HD 高清攝像頭;并且加入Touch ID支持指紋識別,首次新增NFC功能;也是一款三網(wǎng)通手機,4G LTE連接速度可達150Mbps,支持多達20個LTE頻段。

  北京時間2014年9月10日凌晨1點,蘋果公司在加州庫比蒂諾德安薩學院的弗林特藝術中心正式發(fā)布其新一代產(chǎn)品 iPhone 6。9月12日開啟預定,9月19日上市。首批上市的國家和地區(qū)包括美國、加拿大、法國、德國、英國、中國香港、日本、新加坡和澳大利亞,中國大陸無緣iPhone 6首發(fā)。

  2014年10月10日零時,蘋果中國在線商店正式開啟iPhone 6/6 Plus預售,iPhone 6售價5288元起,iPhone 6 Plus售6088元起,每名用戶可分別最多購買2臺,到貨日期10月17日,同時三大運營商也同步發(fā)售。

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  自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關的主板芯片組推出后,EDO DRAM內(nèi)存性能再也無法滿足需要了,內(nèi)存技術必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構的需求,此時內(nèi)存開始進入比較經(jīng)典的SDRAM時代。

  第一代SDRAM內(nèi)存為PC66 規(guī)范,但很快由于Intel 和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz,所以PC66內(nèi)存很快就被PC100內(nèi)存取代,接著133MHz 外頻的PIII以及K7時代的來臨,PC133規(guī)范也以相同的方式進一步提升SDRAM 的整體性能,帶寬提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的帶寬為64bit,正好對應CPU 的64bit 數(shù)據(jù)總線寬度,因此它只需要一條內(nèi)存便可工作,便捷性進一步提高。在性能方面,由于其輸入輸出信號保持與系統(tǒng)外頻同步,因此速度明顯超越EDO 內(nèi)存。

  不可否認的是,SDRAM內(nèi)存由早期的66MHz,發(fā)展后來的100MHz、133MHz,盡管沒能徹底解決內(nèi)存帶寬的瓶頸問題,但此時CPU超頻已經(jīng)成為DIY用戶永恒的話題,所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內(nèi)存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功,值得一提的是,為了方便一些超頻用戶需求,市場上出現(xiàn)了一些PC150、PC166規(guī)范的內(nèi)存。

  盡管SDRAM PC133內(nèi)存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S,加上Intel已經(jīng)開始著手最新的Pentium 4計劃,所以SDRAM PC133內(nèi)存不能滿足日后的發(fā)展需求,此時,Intel為了達到獨占市場的目的,與Rambus聯(lián)合在PC市場推廣Rambus DRAM內(nèi)存(稱為RDRAM內(nèi)存)。與SDRAM不同的是,其采用了新一代高速簡單內(nèi)存架構,基于一種類RISC(Reduced Instruction Set Computing,精簡指令集計算機)理論,這個理論可以減少數(shù)據(jù)的復雜性,使得整個系統(tǒng)性能得到提高。

  在AMD與Intel的競爭中,這個時候是屬于頻率競備時代,所以這個時候CPU的主頻在不斷提升,Intel為了蓋過AMD,推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器,因此Rambus DRAM內(nèi)存是被Intel看著是未來自己的競爭殺手锏,Rambus DRAM內(nèi)存以高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數(shù)據(jù)量,因此內(nèi)存帶寬相當出色,如PC 1066 1066 MHz 32 bits帶寬可達到4.2G Byte/sec,Rambus DRAM曾一度被認為是Pentium 4 的絕配。

  盡管如此,Rambus RDRAM內(nèi)存生不逢時,后來依然要被更高速度的DDR“掠奪”其寶座地位,在當時,PC600、PC700的Rambus RDRAM 內(nèi)存因出現(xiàn)Intel820芯片組“失誤事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本過高而讓Pentium 4平臺高高在上,無法獲得大眾用戶擁戴,種種問題讓Rambus RDRAM胎死腹中,Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066 規(guī)范RDRAM來力挽狂瀾,但最終也是拜倒在DDR 內(nèi)存面前。

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