現(xiàn)在市面上100%的主板生產(chǎn)大廠(chǎng)都已經(jīng)出產(chǎn)了不只一種的主板支持使用DDR內(nèi)存，雖然DDR與SDRAM在物理線(xiàn)數(shù)上存在著很大的分別，兩著理論上是不能共存的，可是有一些廠(chǎng)商為了能夠提高產(chǎn)品在市場(chǎng)上的存在價(jià)值和為了讓產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力提高，也生產(chǎn)了DDR與SDRAM都能夠使用的主板。這些主板總共擁有四條內(nèi)存插槽，兩條是專(zhuān)供DDR內(nèi)存使用，兩條是專(zhuān)供SDRAM內(nèi)存使用，通過(guò)主板上的跳線(xiàn)系統(tǒng)更換所屬方式。雖然不能將DDR與SDRAM混合使用，可也給用戶(hù)提供了兩種內(nèi)存購(gòu)買(mǎi)的選擇。下面就由學(xué)習(xí)啦小編為大家整理的，供大家參考!

　　m標(biāo)志的內(nèi)存條牌子的識(shí)別方法：

　　在選購(gòu)內(nèi)存我們可以遵循以下三個(gè)性能標(biāo)準(zhǔn)：

　　時(shí)鐘頻率：它代表了DDR所能穩(wěn)定運(yùn)行的最大頻率，也就是我們平時(shí)講的PC-1600和PC-2100等，它們分別表示可在200MHz和266MHz的時(shí)鐘頻率下穩(wěn)定運(yùn)行。另外我們也要注意到，傳統(tǒng)的內(nèi)存規(guī)格命名是基于內(nèi)存的時(shí)鐘頻率，而現(xiàn)行的DDR內(nèi)存是基于傳輸速率命名的。實(shí)際上PC-1600和PC-2100按照SDRAM的劃分標(biāo)準(zhǔn)也就是相對(duì)應(yīng)的PC-200和PC-266。

　　存取時(shí)間：存取時(shí)間代表了讀取數(shù)據(jù)所延遲的時(shí)間。以前人們有個(gè)誤區(qū)，認(rèn)為它和系統(tǒng)時(shí)鐘頻率有著某種聯(lián)系，其實(shí)二者在本質(zhì)上是有著顯著區(qū)別的，可以說(shuō)完全是兩回事。例如SDRAM同樣是PC133的內(nèi)存，市面上有-7和-6的，它們的存取時(shí)間分別為7ns和6ns，但它們的時(shí)鐘頻率均為133MHz。存取時(shí)間和時(shí)鐘頻率不一樣，越小則越優(yōu)。在DDR內(nèi)存上亦一樣，各位一定要注意。

　　CAS的延遲時(shí)間：這是指縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間，也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內(nèi)存的重要標(biāo)志之一。我們用CAS Latency(CL)這個(gè)指標(biāo)來(lái)衡量。對(duì)于PC-1600和PC-2100的內(nèi)存來(lái)說(shuō)，其規(guī)定的CL應(yīng)該為2(即它讀取數(shù)據(jù)的延遲時(shí)間是兩個(gè)時(shí)鐘周期)，也就是說(shuō)，它必須在CL=2的情況下穩(wěn)定工作在其工作頻率。

　　至于如何選購(gòu)內(nèi)存條的優(yōu)劣也可以按照以下三個(gè)方法：

　　看品牌：和其他產(chǎn)品一樣，內(nèi)存芯片也有品牌的區(qū)別，不同品牌的芯片質(zhì)量自然也是不同。一般來(lái)說(shuō)，一些久負(fù)盛名的內(nèi)存芯片在出廠(chǎng)的時(shí)候都會(huì)經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的檢測(cè)，而且在對(duì)一些內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的解釋上也會(huì)有所不同。另外一些名牌廠(chǎng)商的產(chǎn)品通常會(huì)給最大時(shí)鐘頻率留有一定的寬裕空間，所以有的人說(shuō)超頻是檢驗(yàn)內(nèi)存好壞的一種方法也不無(wú)道理。

　　看類(lèi)型：現(xiàn)時(shí)的DDR內(nèi)存已經(jīng)不像當(dāng)初的SDRAM那樣可以將EDO RAM內(nèi)存芯片REMARK成DSRAM，基本上分清楚有184pins的內(nèi)存條就不會(huì)買(mǎi)錯(cuò)了，而且DDR比SDRAM在PCB板上是多了一個(gè)缺口的，也就是他有兩個(gè)缺口而SDRAM只有一個(gè)。

　　看PCB(印刷電路板)：剛才已經(jīng)說(shuō)過(guò)，內(nèi)存條由內(nèi)存芯片和PCB組成。順理成章PCB對(duì)內(nèi)存性能也有著很大的影響。決定PCB好壞有幾個(gè)因素，首先就是板材，一般來(lái)說(shuō)，如果內(nèi)存條使用四層板，這樣內(nèi)存條在工作過(guò)程中由于信號(hào)干擾所產(chǎn)生的雜波就會(huì)很大，有時(shí)會(huì)產(chǎn)生不穩(wěn)定的現(xiàn)象。而使用六層板設(shè)計(jì)的內(nèi)存條相應(yīng)的干擾就會(huì)小得多。當(dāng)然，并不是所有的東西都是我們的肉眼能觀察到的，比如內(nèi)部布線(xiàn)等只能通過(guò)試用才能發(fā)覺(jué)其好壞，但我們還是能看出一些端倪：比如好的內(nèi)存條表面有比較強(qiáng)的金屬光潔度，色澤也比較均勻，部件焊接也比較整齊劃一，沒(méi)有錯(cuò)位;金手指部分也比較光亮，沒(méi)有發(fā)白或者發(fā)黑的現(xiàn)象。

　　三星電子日前成功開(kāi)發(fā)300MHz 128Mb(32枚4Mb的顆粒)的雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM(DDR SDRAM)，該產(chǎn)品代碼為K4D263238A-GC33。這款新型產(chǎn)品主要應(yīng)用于支持高級(jí)圖形處理和高速視頻軟件。該產(chǎn)品的配置是32枚4Mb的顆粒，工作頻率為300兆赫，傳輸數(shù)據(jù)的速度為600Mbps，每秒可處理2.4G字節(jié)，是目前全世界最高速度的DDR SDRAM。不久前三星剛推出代碼為K4D623238B-GC33的64Mb(4Mb x 16) DDR SDRAM，此次為上款產(chǎn)品的升級(jí)。

　　內(nèi)存生產(chǎn)廠(chǎng)商金邦科技日前推出容量為128M的DDR內(nèi)存。由于在系統(tǒng)時(shí)鐘的上升沿和下降沿都會(huì)傳輸數(shù)據(jù)，因此DDR內(nèi)存的帶寬是普通SDRAM的兩倍。金邦DDR 266 128M采用8顆16M內(nèi)存顆粒，封裝形式是TSOP Ⅱ封裝，184 PIN。內(nèi)存的顆粒上印有金邦科技特有的“金”字標(biāo)簽，便于消費(fèi)者購(gòu)買(mǎi)時(shí)識(shí)別。和金邦金條一樣，金邦科技對(duì)金邦DDR 266提供“終身保固”、“不良品只換不修”的守候服務(wù)承諾。