電腦上內(nèi)存條參數(shù)怎么看

　　電腦用久后內(nèi)存硬件都已將跟不上配置要求，想要更新內(nèi)存條又不知道怎么選購(gòu)好，怎么查看內(nèi)存條的參數(shù)。為此學(xué)習(xí)啦小編為大家整理推薦了相關(guān)的知識(shí)，希望大家喜歡。

　　電腦上內(nèi)存條參數(shù)的詳細(xì)說(shuō)明

　　DDR時(shí)代

　　SDRAM的升級(jí)版本，更快的訪問(wèn)速度。技術(shù)上較上一代產(chǎn)品無(wú)太大的革新。

　　DDR2時(shí)代

　　簡(jiǎn)單概述就是內(nèi)存的一個(gè)革命性的發(fā)展時(shí)代，全新的借口模式，全新的存儲(chǔ)顆粒，全新的工藝制造更加精細(xì)的結(jié)構(gòu)。 不過(guò)在2011年看來(lái)幾乎是可以退出市場(chǎng)的產(chǎn)品了，新裝的機(jī)器基本不可能選擇裝這種內(nèi)存。目前還在購(gòu)買的用戶也只是不愿意升級(jí)平臺(tái)無(wú)法安裝最新的DDR3內(nèi)存。因此不做過(guò)的篇幅進(jìn)行說(shuō)明，是在是沒(méi)有意義的吐糟……

　　DDR3時(shí)代

　　DDR3在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì)：

　　1.8bit預(yù)取設(shè)計(jì)，而DDR2為4bit預(yù)取，提高了讀取的寬度減少讀取頻率過(guò)高的負(fù)擔(dān)。

　　2.采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的拓樸架構(gòu)，優(yōu)化訪問(wèn)結(jié)構(gòu)更加有效的處理數(shù)據(jù)

　　3.采用100nm以下的生產(chǎn)工藝，降低電壓。

　　內(nèi)存的選取上基本看3大項(xiàng)。

　　第一考慮的是主頻，因?yàn)椴煌闹黝l的內(nèi)存插在一起或者是主板根本不支持的主板會(huì)產(chǎn)生兼容性的問(wèn)題的。

　　例如 你的主板支持800/1066/1333之類的，并不是說(shuō)你的主板可以同時(shí)插這幾種不同的規(guī)格。

　　比如你插的第一條是800MHz，第二條是1066MHz的。其結(jié)果是1066降到800運(yùn)行，這是一個(gè)“水桶效應(yīng)”你的主板支持多少，在主板的包裝盒和說(shuō)明書上都有詳細(xì)的標(biāo)注。

　　而且，內(nèi)存品牌最好一致，否則不同廠商使用的不同工藝即使在參數(shù)一致的情況下也有可能出現(xiàn)不兼容的情況。

　　第二是容量，雖然說(shuō)內(nèi)存的容量越大越好。但說(shuō)實(shí)話一般用戶使用4G的內(nèi)存已經(jīng)綽綽有余了。而且，32位的Winodws系統(tǒng)也只能支持到3.25G的內(nèi)存容量。再大的系統(tǒng)就無(wú)法識(shí)別了。所以，如果要升級(jí)到4G以上就必須使用64位的系統(tǒng)了。

　　我不知道你的系統(tǒng)是多少位的，所以只能告訴你有這個(gè)限制。你可以右擊“我的電腦”選擇“屬性”里面有寫你的系統(tǒng)是多少位的。

　　第三就是CL延遲，這個(gè)詞比較專業(yè)無(wú)法三言兩語(yǔ)和普通話來(lái)說(shuō)明了。你看看下面的說(shuō)明吧，我盡量簡(jiǎn)單說(shuō)明

　　CL反應(yīng)時(shí)間是衡定內(nèi)存的另一個(gè)標(biāo)志。CL是CAS Latency的縮寫，指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間，簡(jiǎn)單的說(shuō)，就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度。一般的參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小，代表反應(yīng)所需的時(shí)間越短。這是一個(gè)生產(chǎn)工藝導(dǎo)致的問(wèn)題，因此在選購(gòu)品牌內(nèi)存時(shí)，這是一個(gè)不可不察的因素。 (代表了生產(chǎn)商的品質(zhì))