內(nèi)存是電腦的商大件之一，做工的好壞可以直接影響到電腦的系統(tǒng)，那怎么去識別內(nèi)存的參數(shù)呢?以下就是學(xué)習(xí)啦小編把你所求知識技巧手把手教會!歡迎觀看!

　　看內(nèi)存參數(shù)的用處

　　由于內(nèi)存在標(biāo)簽上并沒有具體統(tǒng)一的格式，所以在識別時候有些麻煩。一般的標(biāo)簽都必須有的信息為容量(2048MB)、頻率(1066MHz)、延遲(5-6-6-18)、電壓(2.10V)等信息，這些也都是最基本的參數(shù)。

　　內(nèi)存延遲

　　內(nèi)存延遲表示系統(tǒng)進入數(shù)據(jù)存取操作就緒狀態(tài)前等待內(nèi)存相應(yīng)的時間，它通常用4個連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來表示，例如“5-6-6-18”。其實并非延遲越小內(nèi)存性能越高，因為CL-TRP-TRCD-TRAS這四個數(shù)值是配合使用的，相互影響的程度非常大，并且也不是數(shù)值最大時其性能也最差，那么更加合理的配比參數(shù)很重要。

　　上圖我們看到這款海盜船內(nèi)存頻率為1066MHz，延遲為“5-6-6-18”，它們代表的意義從左往右分別是：

　　CAS Latency，即列地址選通脈沖時間延遲，我們常說的CL值就是它。指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間，簡單的說，就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度。

　　RAS-to-CAS Delay(tRCD)，對應(yīng)于CAS，RAS是指Row Address Strobe，行地址選通脈沖。CAS和RAS共同決定了內(nèi)存尋址。RAS(數(shù)據(jù)請求后首先被激發(fā))和CAS(RAS完成后被激發(fā))并不是連續(xù)的，存在著延遲。即內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間。

　　Row-precharge Delay(tRP)，內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時間，即內(nèi)存從結(jié)束一個行訪問結(jié)束到重新開始的間隔時間。

　　Row-active Delay(tRAS)，內(nèi)存行地址選通延遲。是指從收到一個請求后到初始化RAS(行地址選通脈沖)真正開始接受數(shù)據(jù)的間隔時間。

　　對于市面上一些拿延遲低作為賣點的內(nèi)存，價格基本要比同樣頻率的內(nèi)存高出許多，對于不喜愛超頻的用戶而言，就不知道購買哪種比較合適。所以筆者就做了一個測試，將內(nèi)存頻率固定，分別在CL5、CL6、CL7三種模式下測試內(nèi)存性能，請看下圖。

　　SiSoftware帶寬/PCMark測試對比

　　從測試中可以看出，內(nèi)存延遲的變動無論對系統(tǒng)的性能變化、系統(tǒng)處理能力均表現(xiàn)不明顯，所以在充足的帶寬下內(nèi)存延遲的變化對PC的性能影響幾乎可以忽略不計。如今想要提升內(nèi)存性能最捷徑方法就是提升頻率。

　　全文總結(jié)：內(nèi)存方面的選擇，筆者建議用戶需要慎重，畢竟現(xiàn)在內(nèi)存價格上漲較快，主流2GB/800內(nèi)存都已經(jīng)漲破200元，并且上漲趨勢不減;而DDR3方面相比這前也有大幅上漲。所以筆者建議學(xué)生用戶還是多關(guān)注DDR2方面，畢竟DDR3內(nèi)存性能提升并不明顯，可以將省下來的錢用到顯卡、CPU等方面。