如何優(yōu)化內(nèi)存條

　　如何優(yōu)化電腦很多用戶并沒有在意這些細節(jié)，那怎么在內(nèi)存上做到優(yōu)化呢?為此學(xué)習(xí)啦小編為大家整理推薦了，希望大家喜歡。

　　優(yōu)化內(nèi)存條

　　內(nèi)存負責向CPU提供運算所需的原始數(shù)據(jù)，現(xiàn)在CPU運行速度超過內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸速度很多，因此就造成了CPU很多時候都在等待內(nèi)存提供數(shù)據(jù)的情況。這就是我們通常所說的“CPU等待時間”，或所謂的“內(nèi)存瓶頸”。內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣仍铰珻PU等待時間就會越長，系統(tǒng)整體性能受到的影響就越大。因此，快速的內(nèi)存是有效提升CPU效率和整機性能的關(guān)鍵之一。通常情況之下，購買新的、更快速的內(nèi)存是解決內(nèi)存瓶頸最直接的辦法。不過，利用我們現(xiàn)有的內(nèi)存，好好做一番優(yōu)化設(shè)置，也能收到異曲同工之妙的效果，而且還不用花錢。

　　上期我們已經(jīng)介紹過了，目前主流內(nèi)存分為SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM三種。這三種內(nèi)存有一個共同點，就是它們都以與系統(tǒng)CPU的外部頻率相同的頻率工作，這個頻率也就是我們常說的一個術(shù)語——FSB(Front Side Bus，前端總線)頻率?，F(xiàn)在的主板都具有比較高的“智能”，這三種內(nèi)存在插到相對應(yīng)的主板后，都能自動設(shè)置正確的運行頻率。因此，即使我們不進行任何設(shè)置或調(diào)整，絕大多數(shù)內(nèi)存都能實現(xiàn)“即插即用”。不過，幾乎所有主板的內(nèi)存相關(guān)參數(shù)出廠初始設(shè)置都比較保守，并不能將內(nèi)存的性能充分發(fā)揮。下面，我們針對三種內(nèi)存來分別介紹其各自的優(yōu)化方法。

　　(注：我們以下所談到的內(nèi)存優(yōu)化都限于在主板BIOS提供的功能上。開機時按住“Del”鍵就可以進入BIOS的設(shè)定界面，具體設(shè)置菜單項一般是“Chipset Features Setup”或“Advanced Chipset Features”。修改參數(shù)通常是用“PageUp/PageDown”鍵或更為直觀的回車選擇菜單兩種方式，修改完成后，一定記住按“F10”鍵保存。所有修改在系統(tǒng)重新啟動之后生效。)

　　RDRAM內(nèi)存優(yōu)化

　　RDRAM的設(shè)置和優(yōu)化是最簡單的。RDRAM分兩種規(guī)格——PC600和PC800，還有一種是不太正式的PC700，性能以PC600最低而PC800最高。要正確設(shè)置RDRAM，首先要做的就是認清自己的內(nèi)存是哪種規(guī)格。

　　圖1 由于RDRAM的工作規(guī)范要求極高，因此大部分Pentium 4主板都沒有提供超頻的功能，我們只要在BIOS中將“RDRAM Bus Frequency”選項設(shè)置成與內(nèi)存條相同的頻率就可以了。這里，400MHz對應(yīng)PC800內(nèi)存條，而300MHz對應(yīng)PC600內(nèi)存條(PC700內(nèi)存條只能當PC600來用)。

　　圖2 這是一條PC800的RDRAM內(nèi)存條，我們從內(nèi)存標牌上可以明顯地找到它的規(guī)格標記。

　　SDR/DDR內(nèi)存優(yōu)化

　　DDR SDRAM的設(shè)置與SDRAM大致相同，因此我們就以SDRAM為例一并介紹。

　　SDRAM有3個正式的規(guī)格——PC66、PC100和PC133;DDR SDRAM則有PC1600和PC2100兩種規(guī)格。個別廠商針對超頻愛好者的需要，也提供了PC150和PC166這兩種非正式規(guī)格的SDRAM內(nèi)存條，DDR SDRAM也有PC2700的非正式規(guī)格產(chǎn)品出現(xiàn)。這些數(shù)值其實代表了這些內(nèi)存能穩(wěn)定運行的最大頻率，如PC133內(nèi)存的最大穩(wěn)定運行頻率就應(yīng)該為133MHz。但在BIOS設(shè)置選項中，很少可以直接選擇內(nèi)存規(guī)格。更多的是以設(shè)置FSB頻率或內(nèi)存的運行時鐘周期來間接設(shè)置內(nèi)存規(guī)格。

　　圖3 前面我們已經(jīng)說過了，內(nèi)存的運行頻率與FSB相同。FSB設(shè)置選項往往在BIOS中與CPU頻率的設(shè)置在一起，其實就是以設(shè)置CPU運行頻率(倍頻和外頻)的方式來實現(xiàn)的。

　　圖4 這塊主板則是通過內(nèi)存的存取時鐘周期來設(shè)置內(nèi)存運行頻率的。計算內(nèi)存時鐘周期與運行頻率關(guān)系的簡化公式是：1÷內(nèi)存時鐘周期×1000MHz。如7.5ns的SDRAM，它的運行頻率就是1÷7.5×1000MHz≈133MHz。圖中的內(nèi)存設(shè)置為8ns，其實它只能算是PC100的內(nèi)存。

　　圖5 SDRAM和DDR SDRAM在內(nèi)存芯片上都標注了該內(nèi)存的存取時鐘周期，我們不僅可以根據(jù)這個數(shù)值來正確設(shè)置內(nèi)存，還可以用它來判斷內(nèi)存是否符合標稱的規(guī)格。

　　正確設(shè)置內(nèi)存運行頻率僅僅只是優(yōu)化內(nèi)存的第一步，想要獲得更好的性能，調(diào)節(jié)FSB是最有效的手段。但由于這會使CPU運行頻率隨之上升，因此并不見得CPU就能穩(wěn)定運行。一旦CPU的超頻能力足夠，那么內(nèi)存的最大穩(wěn)定運行頻率也就至關(guān)重要了，這也就是為什么發(fā)燒友們總是對PC150、PC166內(nèi)存情有獨鐘的原因。

　　目前絕大多數(shù)主板的BIOS都提供了對內(nèi)存參數(shù)進行微調(diào)的功能，但廠商不同、具體主板采用的芯片組不同，可以調(diào)節(jié)的項目也不相同。由于內(nèi)存運行參數(shù)微調(diào)涉及到非常專業(yè)的知識，這里我們只告訴大家該調(diào)節(jié)一些什么項目，以及怎樣調(diào)節(jié)。

　　圖6 CL值是調(diào)節(jié)最頻繁的內(nèi)存參數(shù)。CL是CAS Latency(CAS延時)的簡寫，該參數(shù)對內(nèi)存性能的影響最大，CL值越小表明內(nèi)存的性能越高。按PC133規(guī)范的技術(shù)文檔說明，只有運行頻率為133MHz、CL=2的內(nèi)存，才真正符合PC133標準。目前市面上的很多所謂的PC133內(nèi)存都不能做到CL=2。DDR SDRAM內(nèi)存的CL目前大多為2.5或2。

　　圖7 大多數(shù)主板BIOS都可以設(shè)置CL參數(shù)的值(在主板BIOS中該參數(shù)有的表示為CAS Latency，有的為SDRAM CAS Latency Time，也有如圖表示為SDRAM Cycle Length的)，這個參數(shù)理論上可以隨便設(shè)置，因此可以盡量嘗試減小該值。但此舉如導(dǎo)致系統(tǒng)無法啟動或運行中死機，就應(yīng)該及時還原該參數(shù)。

　　圖8 部分主板提供了更為詳細的三個內(nèi)存參數(shù)選擇——SDRAM RAS Precharge Time、SDRAM RAS To CAS Delay 和SDRAM CAS Latency Time。這幾個數(shù)值都可以慢慢嘗試將其減小。

　　圖9 從VIA 693芯片組開始，VIA公司的所有芯片組還支持一個比較特殊的設(shè)置，這就是SDRAM的四路交錯(4 Way Interleave)。該參數(shù)可以大大提高SDRAM的預(yù)充電效率，從而提升內(nèi)存性能。目前很多采用VIA芯片組的主板都有這個設(shè)置，它們在菜單中的選項往往被稱為Bank Interleave。在設(shè)置時，我們只要將其更改為4 Bank或4 Way Interleave即可。