DDR/DDR2/DDR3內(nèi)存條有什么區(qū)別
DDR/DDR2/DDR3內(nèi)存條有什么區(qū)別
內(nèi)存條的制造技術(shù)正在不斷的攀升，DDR/DDR2/DDR3內(nèi)存條“朝代”也在新老更替，那DDR/DDR2/DDR3內(nèi)存條如何區(qū)分呢?下面是學(xué)習(xí)啦小編為大家介紹DDR/DDR2/DDR3內(nèi)存條的區(qū)別,歡迎大家閱讀。
DDR/DDR2/DDR3內(nèi)存條的區(qū)別
ddr 1，2，3代內(nèi)存的外觀區(qū)別
DDR1：
一個(gè)缺口、單面92針腳、雙面184針腳、左52右40、內(nèi)存顆粒長(zhǎng)方形。
DDR2：
一個(gè)缺口、單面120針腳、雙面240針腳、左64右56、內(nèi)存顆粒正方形、電壓1.8V。
DDR3：
一個(gè)缺口、單面120針腳、雙面240針腳、左72右48、內(nèi)存顆粒正方形、電壓1.5V。
其工作電壓一直在降低，因此在性能提升的同時(shí)，功耗也在逐漸變小。
至于說到主板上的插槽，三者都不一樣，在內(nèi)存接口上有一個(gè)小缺口，DDR DDR2 DDR3內(nèi)存的每種內(nèi)存的接口都不會(huì)同一位置，因此只能插在購買時(shí)得先看好主板上插槽支持那種內(nèi)存再進(jìn)行購買內(nèi)存。而且這三種內(nèi)存條是不能兼容。
DDR DDR2 DDR3在內(nèi)存容量上的區(qū)別
現(xiàn)在家用電腦誰不是2G的?8G以上的都不少見吧?一些游戲玩家最低要求都是4G吧?如果這事放在零幾年那時(shí)誰信?
DDR1最小的內(nèi)存只有64M最大的也只有1G的容量，2代的DDR 最少的是256M最大的都已經(jīng)是4M了。當(dāng)然DDR2 4G用的人少一般常見的都是1Gx2這樣使用的。而DDR3現(xiàn)在最小的都是512M最大的都已經(jīng)是8G了。一般都是4Gx2這樣使用?；蛘?Gx2這樣使用。
DDR DDR2 DDR3在封裝區(qū)別
早期的DDR封閉顆粒是TSOP，而從DDR2和DDR3開始使用FBGA封裝，而DDR2使用的是8bit芯片使用60球/68球/84球FBGA封裝三種規(guī)格，而DDR3采用的是16bit芯片使用96球FBGA封裝，而且DDR3必須是綠色封裝，不能包含任何有害的物質(zhì)。
參考電壓分成兩個(gè)在DDR3系統(tǒng)中，對(duì)于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號(hào)VREF將分為兩個(gè)信號(hào)，即為命令與地址信號(hào)服務(wù)的VREFCA和為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ，這將有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級(jí)。
DDR DDR2 DDR3在突發(fā)長(zhǎng)度(BurstLength，BL)
由于DDR3的預(yù)取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期(BurstLength，BL)也固定為8，平而DDR的傳輸周期是2，而DDR2是4。
DDR DDR2 DDR3在邏輯Bank數(shù)量上的區(qū)別
DDR中有2個(gè)Bank和4個(gè)Bank。DDR2有4個(gè)Bank和8個(gè)Bank。而到DDR3的時(shí)候已經(jīng)是8個(gè)Bank和16個(gè)Bank了。目前就是應(yīng)對(duì)未來大容量芯片的要求，而DDR3很可能將從2G起步，因此邏輯Bank就是8個(gè)，另外還為未來的16邏輯Bank做好了準(zhǔn)備。
DDR DDR2 DDR3的尋址時(shí)序區(qū)別(Timing)
延遲周期數(shù)從DDR一代到二代再到三代內(nèi)存一加一直在增加，三代內(nèi)存的CL周期也將比二代內(nèi)存有相應(yīng)的提高。二代內(nèi)存的CL范圍一般在2到5之間，而二代內(nèi)存已經(jīng)增加到5到11之間，并且三代內(nèi)存延遲(AL)的設(shè)計(jì)也有所變化。二代內(nèi)存時(shí)AL的范圍是0到4，而三代內(nèi)存時(shí)AL有三種選項(xiàng)，分別是0、CL-1和CL-2。另外，三代內(nèi)存還新增加了一個(gè)時(shí)序參數(shù)-寫入延遲。
相對(duì)于DDR DDR2，DDR3新增的功能
DDR新增加重置功能， 新增加的重置是DDR3一項(xiàng)重要功能，并且為此功能還專門準(zhǔn)備了一個(gè)引腳。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡(jiǎn)單。當(dāng)Reset命令有效時(shí)，DDR3內(nèi)存將停止所有操作，并切換至最少量活動(dòng)狀態(tài)，以節(jié)約電力。
DDR3新增ZQ校準(zhǔn)功能，ZQ也是一個(gè)新增的腳，在這個(gè)引腳上接有一個(gè)240歐姆的低公差參考電阻。這個(gè)引腳通過一個(gè)命令集，通過片上校準(zhǔn)引擎(On-DieCalibrationEngine，ODCE)來自動(dòng)校驗(yàn)數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻與ODT的終結(jié)電阻值。當(dāng)系統(tǒng)發(fā)出這一指令后，將用相應(yīng)的時(shí)鐘周期(在加電與初始化之后用512個(gè)時(shí)鐘周期，在退出自刷新操作后用256個(gè)時(shí)鐘周期、在其他情況下用64個(gè)時(shí)鐘周期)對(duì)導(dǎo)通電阻和ODT電阻進(jìn)行重新校準(zhǔn)。
以上便是關(guān)于DDR、DDR2和DDR3之間的區(qū)別和分辨方法，當(dāng)然用戶若是沒有實(shí)際測(cè)量工具，可以使用第三方軟件進(jìn)行檢測(cè)，但檢測(cè)信息并非絕對(duì)正確的。
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