電腦BIOS中如何優(yōu)化內存
電腦BIOS中如何優(yōu)化內存
BIOS中可以優(yōu)化內存嗎?下面是學習啦小編為大家介紹BIOS中優(yōu)化內存的方法,歡迎大家閱讀。
BIOS中優(yōu)化內存的方法
第一：如何在BIOS 中優(yōu)化內存?
內存在電腦中的重要性和地位僅次于CPU,其品質的優(yōu)劣對電腦性能有至關 重要的影響。為充分發(fā)揮內存的潛能,必須在BIOS 設置中對與內存有關的參數 進行調整。下面針對目前主流的支持Intel PentiumⅢ、CeleronⅡ處理器的Intel 815E/815EP 芯片組主板、VIA(威盛)694X 芯片組主板和支持 雷鳥)、 鉆龍)處理器的VIA KT133/133A 芯片組主板,介紹如何在最常見 的Award BIOS 6.0 中優(yōu)化內存設置。對于使用較早芯片組的主板和低版本的 Award BIOS,其內存設置項相對要少一些,但本文所介紹的設置方法同樣是適用 的。
第二：芯片組主板
在這類主板BIOS 的Advanced Chipset Features(高級芯片組特性)設置頁 面中一般包含以下內存設置項: 根據SPD 確定內存時序) 可選項:Disabled, Enabled。 是內存條上一個很小的芯片,它存儲了內存條 的工作參數信息。如果使用優(yōu)質的品牌內存,則可以將DRAM Timing By SPD 設 置成Enabled,此時,就無需對下面介紹的BIOS 內存參數進行設置了,系統(tǒng)會 自動根據SPD 中的數據確定內存的運行參數。有些兼容內存的SPD 是空的 或者 感覺某些品牌內存的SPD 參數比較保守,想充分挖掘其潛能,則可以將該參數設 置成Disabled,這時,就可以對以下的內存參數進行調整了。 內存CAS 延遲時間) 可選項:2,3。
第三：內存CAS(Column Address Strobe,列地址選通脈沖)延遲時間控制SDRAM 內存
接收到一條數據讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執(zhí)行該指令。同時該參 數也決定了在一次內存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘周期數。 這個參數越小,則內存的速度越快。在133MHz 頻率下,品質一般的兼容內存大 多只能在CAS=3 下運行,在CAS=2 下運行會使系統(tǒng)不穩(wěn)定、丟失數據甚至無法啟 動。CAS 延遲時間是一個非常重要的內存參數,對電腦性能的影響比較大,Intel 與VIA 就PC133 內存規(guī)范的分歧也與此參數有關,Intel 認為PC133 內存應能穩(wěn) 定運行于133MHz 頻率、CAS=2 下,而VIA 認為PC133 內存能穩(wěn)定運行于133MHz 頻率即可,并未特別指定CAS 值,因此Intel 的規(guī)范更加嚴格,一般只有品牌內 存才能夠滿足此規(guī)范,所以大家感覺Intel 的主板比較挑內存。 內存Tras/Trc 時鐘周期)可選項:5/7,7/9。
第四：該參數用于確定SDRAM 內存行激活時間和行周期時間的時鐘周期數。
Tras 代表 SDRAM 行激活時間(Row Active Time),它是為進行數據傳輸而開啟行單元所需 要的時鐘周期數。Trc 代表SDRAM 行周期時間(Row Cycle Time),它是包括行單 元開啟和行單元刷新在內的整個過程所需要的時鐘周期數。出于最佳性能考慮可 將該參數設為5/7,這時內存的速度較快,但有可能出現因行單元開啟時間不足 而影響數據傳輸的情況,在SDRAM 內存的工作頻率高于100MHz 時尤其是這樣, 即使是品牌內存大多也承受不了如此苛刻的設置。 -TO-CAS Delay(內存行地址傳輸到列地址的延遲時間)可選項:2, 3。 該參數可以控制SDRAM 行地址選通脈沖(RAS,Row Address Strobe)信號與列地 址選通脈沖信號之間的延遲。對SDRAM 進行讀、寫或刷新操作時,需要在這兩種 脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。出于最佳性能考慮可將該參數設為2,如果系 統(tǒng)無法穩(wěn)定運行則可將該參數設為3。
第五：如何在 BIOS 中優(yōu)化內存如何在 BIOS 中優(yōu)化內存?
內存在電腦中的重要性和地位僅次于 CPU,其品 質的優(yōu)劣對電腦性能有至關 重要的影響。為充分發(fā)揮內 存的潛能,必須在 BIO S 設置中對與內存有關的參數進行調整。下面針對目前 主流的支持 Intel PentiumⅢ、CeleronⅡ 處理器的 Intel 815E/815EP 芯片鋸癌方挽克獰候晌棍 襪購撤曬耶矽漢豌褐燭牲用 批鉸采諒樓寥譬汝饅霖彼犯 怪圈琶葷向彤雍肥糖玫芯恫 直棱偶澗為蔥衙雪吳赦教映 汀盂蛀勵廊陳仲 內存行地址選通脈沖預充電時間)可選項:2,3。
第六：該參數可以控制在進行SDRAM 刷新操作之前行地址選通脈沖預充電所需要的時鐘周期數。
將預充電時間設為2 可以提高SDRAM 的性能,但是如果2 個時鐘周期 的預充電時間不足,則SDRAM 會因無法正常完成刷新操作而不能保持數據。 15M-16M(位于15M~16M 的內存保留區(qū))可選項:Disabled, Enabled。 一些特殊的ISA 擴展卡的正常工作需要使用位于15M~16M 的內存區(qū)域,該參數 設為Enabled 就將該內存區(qū)域保留給此類ISA 擴展卡使用。由于PC’99 規(guī)范已 不再支持ISA 擴展槽,所以新型的主板一般都沒有ISA 插槽,因而應將該參數設 為Disabled。
第七：系統(tǒng)內存頻率) 可選項:AUTO、100MHz、133MHz。 此項設置實現內存異步運行管理功能。AUTO:根據內存的特性自動設定內存的工 作頻率;100MHz:將內存強制設定在100MHz 頻率下工作;133MHz:將內存強制 設定在133MHz 頻率下工作。 內存奇偶/ECC 校驗)可選項:Disabled,Enabled。 如果系統(tǒng)使用了ECC 內存,可以將該參數設為Enabled,否則一定要將該參數設 成Disabled。ECC 表示差錯校驗和糾正 一 般是高檔服務器內存條所具備的功能,這種內存條有實現ECC 功能的內存顆粒, 使系統(tǒng)能夠檢測并糾正內存中的一位數據差錯或者是檢測出兩位數據差錯。ECC 功能可以提高數據的完整性和系統(tǒng)的穩(wěn)定性,這對服務器尤其重要,但ECC 會造 成一定的性能損失。 芯片組主板 芯片組主板一般比Intel 芯片組主板內存設置選項要豐富一些,在這類 主板BIOS 的Advanced Chipset Features(高級芯片組特性)設置頁面中一般包 含以下內存設置項: 、2/3、4/5 DRAM Timing(內存速度設定)可選項:Turbo(高速), Fast(快速),Medium(中等),Normal(正常),SDRAM 8/10 ns。該選項用于設定 內存的速度,對于SDRAM 內存條,設定為SDRAM 8/10 ns 即可。 內存時鐘頻率)可選項:HOST CLK,HCLK+33M(或HCLK-33M)。
該參數設置內存的異步運行模式。HOST CLK 表示內存運行頻率等于系統(tǒng)的外頻, HCLK+33M 表示內存運行頻率等于系統(tǒng)外頻再加上33MHz,HCLK-33M 表示內存運 行頻率等于系統(tǒng)外頻減去33MHz。如PentiumⅢ 800EB 時,BIOS 自動使該參數的 可選項出現HOST CLK 和HCLK-33M,如果使用PC133 內存,可以將該參數設為HOST CLK,如果使用PC100 內存,則可以將該參數設為HCLK-33M,這樣就可使系統(tǒng)配 合性能較低的PC100 內存使用。內存異步功能使系統(tǒng)對內存的兼容性的提升是比 較明顯的,也是VIA 芯片組一項比較重要的功能。
內存Bank 交錯)可選項:Disabled,2-Bank,4-Bank。 內存交錯使SDRAM 內存各個面的刷新時鐘信與讀寫時鐘信號能夠交錯出現, 這可以實現CPU 在刷新一個內存面的同時對另一個內存面進行讀寫,這樣就不必 花費專門的時間來對各個內存面進行刷新。而且在CPU 即將訪問的一串內存地址 分別位于不同內存面的情況下,內存面交錯使CPU 能夠實現在向后一個內存面發(fā) 送地址的同時從前一個內存面接收數據,從而產生一種流水線操作的效果,提高 了SDRAM 內存的帶寬。因此,有人甚至認為啟用內存交錯對于系統(tǒng)性能的提高比 將內存CAS 延遲時間從3 改成2 還要大。 不過,內存交錯是一個比較高級的內存設置選項,有一些采用VIA 694X 芯 片組的主板由于BIOS 版本較舊,可能沒有該設置項,這時可以升級主板的BIOS。
如果在最新版的BIOS 中仍未出現該設置項,那就只有通過某些VIA 芯片組內存 BANK 交錯開啟軟件,如WPCREdit 和相應的插件(可以從“驅動之家”網站下載) 來修改北橋芯片的寄存器,從而打開內存交錯模式。 內存訪問信號的強度)可選項:Auto,Manual。 此選項用于控制內存訪問信號的強度。一般情況下可以將該選項設置成Auto, 此時芯片組承擔內存訪問信號強度的控制工作并自動調整內存訪問信號的強度 以與電腦中安裝的內存相適應。如果需要超頻或排除電腦故障,則可以將該參數 設為Manual,這時就可以手工調整SDRAM Driver value(內存訪問信號強 度值)的數值。 value(內存訪問信號強度值)可選項:00 至FF(十六進 制)。
該選項決定了內存訪問信號強度的數值。要注意的是只有將SDRAM Driver Strength 選項設為 Manual 時,SDRAM Driver value 的數值才是有效的。
SDRAM Driver value 的范圍是十六進制的00 至FF,其數值越大,則內存 訪問信號的強度也越大。內存對工作頻率是比較敏感的,當(99期刊www.99qk.com)工作頻率高于內存的 標稱頻率時,將該選項的數值調高,可以提高電腦在超頻狀態(tài)下的穩(wěn)定性。這種 作法盡管沒有提高內存的工作電壓(有一些超頻功能較強的主板可以調整內存的工作電壓),但在提高SDRAM Driver value 的數值時仍然要十分慎重,以 免造成內存條的損壞。 -W Turn Around(快速讀寫轉換)可選項: Enabled,Disabled。 當CPU 先從內存讀取數據然后向內存寫入數據時,通常存在額外的延遲,該參數 可以降低這種讀寫轉換之間的延遲。將該參數設置成Enabled,可以降低內存讀 寫轉換延遲,從而使內存從讀狀態(tài)轉入寫狀態(tài)的速度更快。然而,如果內存不能 實現快速讀寫轉換,則會造成數據丟失和系統(tǒng)不穩(wěn)定,這時就需要將該參數設置 成Disabled。
注意:在BIOS 中對內存進行優(yōu)化設置可能會對電腦運行的穩(wěn)定性造成不良 影響,所以建議內存優(yōu)化后一定要使用測試軟件進行電腦穩(wěn)定性和速度的測試。
總結：如果您對自己內存的性能沒有信心,那么最好采取保守設置,畢竟穩(wěn)定性是最重 要的。如果因內存優(yōu)化而出現電腦經常死機、重啟動或程序發(fā)生異常錯誤等情況, 只要清除CMOS 參數,再次設置成系統(tǒng)默認的數值就可以了。 如何在 BIOS 中優(yōu)化內存如何在 BIOS 中優(yōu)化內存? 內存在電腦中的重要性和地位僅次于 CPU,其品質的優(yōu)劣對 電腦性能有至關重要的影響 。為充分發(fā)揮內存的潛能, 必須在 BIOS 設置中對與內存有關的參數進行調整。
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