低壓內(nèi)存和標(biāo)壓內(nèi)存哪一個比較好?提到為筆記本進(jìn)行升級，很多人的第一個念頭是為筆記本加裝內(nèi)存實現(xiàn)運行速度的提升。而某些淘寶店明確指出，英特爾第四代Haswell架構(gòu)酷睿處理器只能使用1.35V低電壓內(nèi)存。那么這個說法是否屬實呢?低電壓內(nèi)存的兼容性如何?它與標(biāo)壓內(nèi)存又有哪些不同?下面學(xué)習(xí)啦小編給大家介紹下兩者的區(qū)別和優(yōu)劣，希望對大家有幫助!

　　低壓內(nèi)存和標(biāo)壓內(nèi)存哪一個比較好?

　　● 測試平臺簡介

　　首先我們針對低壓內(nèi)存的兼容性進(jìn)行測試，本次測試是為探究處理器規(guī)格與內(nèi)存電壓規(guī)格之間的關(guān)系，所以我們選擇了四款配備不同處理器的筆記本進(jìn)行測試。分別是配備了i7-4700MQ的神舟K710C，配備了i7-4500U的戴爾靈越15 5000，配備了i5-4200H的聯(lián)想Y50和配備了i5-4200U的東芝U40A。大家應(yīng)該已經(jīng)注意到了，我們的測試處理器為英特爾中高端產(chǎn)品中的標(biāo)壓和低壓兩種規(guī)格，由于目前配備了i3處理器的機(jī)器不多，所以我們在測試中沒有使用i3芯筆記本。

　　聯(lián)想Y50 i5-4200H

　　東芝U40 i5-4200U

　　神舟K710C i7-4700MQ

　　戴爾靈越15 5000 i7-4500U

　　● 測試內(nèi)存簡介

　　在本次測試中，前前后后我們使用了8種不同型號一共14條內(nèi)存產(chǎn)品進(jìn)行了測試，這個選題從2月份就提了出來，為了獲得更多的測試結(jié)果以達(dá)到最準(zhǔn)確的結(jié)論一直拖到今天才完成。由于測試周期冗長，所以前期測試的筆記本與后期測試的筆記本沒能夠使用同樣的內(nèi)存進(jìn)行測試，但好在其并不影響測試結(jié)果。所以最終的測試結(jié)果依然是值得參考的。

　　● 測試方案

　　將幾款不同的內(nèi)存分別裝在不同處理器的機(jī)器后開機(jī)，觀察是否能夠正常啟動并進(jìn)入系統(tǒng)，如果能夠進(jìn)入操作系統(tǒng)則運行CPU-Z和AID64查看內(nèi)存運行狀態(tài)以觀察內(nèi)存是否完美兼容。

　　● 測試結(jié)果

　　我們可以看到，兩款標(biāo)壓處理器的結(jié)果均為YES，可以完美兼容運行。而兩款低壓處理器則沒能在1.5V內(nèi)存下開機(jī)進(jìn)入操作系統(tǒng)。我們可以初步判定，低壓處理器只能使用低壓內(nèi)存條，而標(biāo)壓處理器則可以完美兼容低壓和標(biāo)壓內(nèi)存。用戶在購買內(nèi)存產(chǎn)品時需要多加注意。

　　性能差異不大/發(fā)熱表現(xiàn)優(yōu)秀 標(biāo)壓低壓對比測試

　　● 標(biāo)壓內(nèi)存和低壓內(nèi)存的性能對比

　　與標(biāo)壓和低壓處理器一樣，提到電壓規(guī)格的不同，我們想的第一件事情就是電壓的差異是否會帶來性能上的差距。本次測試所用標(biāo)壓內(nèi)存為1333MHz，低壓內(nèi)存為1600MHz，沒能保證唯一變量是內(nèi)存電壓有所遺憾，但我們已經(jīng)知道，內(nèi)存頻率不同帶來的性能差距是非常小的，所以對于本次測試，它對結(jié)果的影響不會太大。測試結(jié)果依然具有參考有意義。我們使用AIDA64的內(nèi)存測試工具進(jìn)行跑分測試，分四種不同的組合方式，測試筆記本為聯(lián)想Y50，其測試結(jié)果下。

　　南亞4GB單條測試成績(1.35V)

　　海盜船4GB單條測試成績(1.5V)

　　在單條跑分測試中，標(biāo)壓海盜船內(nèi)存條以微弱的優(yōu)勢取勝，雖然其讀取成績超過南亞低壓內(nèi)存條，但是在寫入測試中有所失利，在其它環(huán)節(jié)中二者互有勝負(fù)，但是總體而言成績相差并不明顯，這些差異我們僅能夠在專業(yè)的測試軟件中通過數(shù)據(jù)感知，在實際使用過程中幾乎沒有影響。

　　既然單條成績差異不大，我們再來看雙通道情況下的測試成績，由于我們現(xiàn)有的另外一條標(biāo)壓內(nèi)存為2GB容量，所以在本環(huán)節(jié)中采用2根低壓內(nèi)存同低壓+標(biāo)壓內(nèi)存的混搭方式進(jìn)行對比。

　　南亞8GB雙通道測試成績(1.35V)

　　南亞4GB+海盜船4GB雙通道測試成績(混搭)

　　在這一環(huán)節(jié)中，兩根低壓內(nèi)存組成的雙通道在讀取、寫入和復(fù)制環(huán)節(jié)中都有大幅優(yōu)勢，而在L1、L2以及L3級緩存的測試中則沒有太多差別。由于兩根低壓內(nèi)存的時序以及頻率等都完全相同，所以其成績表現(xiàn)是符合預(yù)期標(biāo)準(zhǔn)的。而標(biāo)壓和低壓內(nèi)存的混搭組合帶來了太多的變量，但其成績也沒有太過糟糕。我們不推薦這樣的內(nèi)存組合方式，但是在最大化節(jié)省升級資金的情況下，采用原有內(nèi)存+新低壓內(nèi)存的組合也不會對性能造成太大影響。

　　● 標(biāo)壓內(nèi)存與低壓內(nèi)存發(fā)熱量對比

　　性能方面我們已經(jīng)確定標(biāo)壓內(nèi)存和低壓內(nèi)存的差別并不是非常大，而眾多廠家選擇使用低壓內(nèi)存更多的原因是由于低壓內(nèi)存相比標(biāo)壓內(nèi)存擁有更客觀的發(fā)熱量，這一點對于輕薄筆記本來說至關(guān)重要。同樣，我們采用實際測試的方式進(jìn)行對比，測試所用筆記本為Acer 4750G。

　　選擇Acer 4750G進(jìn)行溫度測試是因為其內(nèi)存卡槽位于左手掌托下端，手掌能夠比較容易地感知到這部分的溫度，檢測起來也比較容易。測試環(huán)境溫度在26度左右。開機(jī)后使用AIDA64軟件的內(nèi)存測試工具進(jìn)行4次測試把內(nèi)存溫度升高，使用溫槍對內(nèi)存上方位置進(jìn)行檢測，取最高溫度拍照。然后打開內(nèi)存蓋直接檢測內(nèi)存顆粒溫度，最后將內(nèi)存拔出后迅速檢測兩條內(nèi)存間位置的內(nèi)存顆粒溫度。

　　標(biāo)壓內(nèi)存溫度測試

　　低壓內(nèi)存溫度測試

　　可以看到，無論在哪個環(huán)節(jié)中低壓內(nèi)存的發(fā)熱表現(xiàn)都比標(biāo)壓內(nèi)存更加優(yōu)秀，在滿載時候的標(biāo)壓內(nèi)存比低壓內(nèi)存整整高出了4.6攝氏度，要知道在筆記本平臺中，溫度每提升一度對整機(jī)的散熱都是一項莫大的挑戰(zhàn)。

　　在溫度測試中，低壓內(nèi)存以絕對的優(yōu)勢領(lǐng)先，這樣的表現(xiàn)給筆記本帶來了更加清涼的使用感受，散熱系統(tǒng)的設(shè)計也容易了一些。另外，這臺測試用筆記本為酷睿二代處理器，也就是說，在老酷睿平臺下，低壓內(nèi)存一樣能夠完美兼容運行。

　　● 該選擇什么樣的內(nèi)存條升級

　　通過前文的測試我們可以看到，標(biāo)準(zhǔn)電壓處理器理論上對標(biāo)壓和低壓內(nèi)存都可以完美兼容，但考慮到不太大的性能差異以及低壓內(nèi)存良好的溫度表現(xiàn)，我們建議優(yōu)先選擇低壓內(nèi)存進(jìn)行升級。容量方便建議4GB起步，頻率1600MHz最佳，畢竟當(dāng)下的應(yīng)用程序和操作系統(tǒng)對內(nèi)存容量的要求越來越高，雖然頻率的提升對性能的影響不大，但是價格相差不大的情況下買高頻率的顯然更劃算。不過現(xiàn)在的內(nèi)存行情有點偏高，小編2012年買的一條4GB海盜船才花119元。

　　　　對于采用低壓處理器的筆記本來說，低壓內(nèi)存是唯一的選擇，最穩(wěn)妥的方法是根據(jù)Intel官網(wǎng)給出的支持列表進(jìn)行選購，但是在我們的測試中，有幾款低壓內(nèi)存條沒有在這一列表之中，所以理論上看，低壓處理器是可以兼容大部分低壓內(nèi)存條的，消費者也不必機(jī)械地只買支持列表中的產(chǎn)品。

　　全文總結(jié)：

　　早在英特爾第二代酷睿處理器SNB開始，處理器整合北橋功能，集成內(nèi)存控制器，自此內(nèi)存支持情況完全由處理器決定。但考慮到整機(jī)部分，受到廠商成本因素、庫存情況影響，如果標(biāo)準(zhǔn)電壓內(nèi)存、低電壓內(nèi)存都可以支持，那么配備哪種內(nèi)存就都是有可能的，就看廠商愿意先消化掉哪部分庫存，比如神舟K710C就采用了2GB低壓內(nèi)存。

　　通過本次測試，我們認(rèn)為，低壓處理器理論上只支持低壓內(nèi)存產(chǎn)品，而標(biāo)壓內(nèi)存則可以兼容標(biāo)壓和低壓兩種電壓規(guī)格的產(chǎn)品。在內(nèi)存升級方面，由于兩種規(guī)格的內(nèi)存性能差異不大，但低壓內(nèi)存的溫度表現(xiàn)實在優(yōu)秀，所以我們建議用戶優(yōu)先選擇低壓內(nèi)存進(jìn)行升級。