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　　筆記本的內(nèi)存大體可以分為EDO、SDRAM、DDR三種類型：

　　幾大知名內(nèi)存廠家及代號：現(xiàn)代電子(Hynix)：HY ，三星(SAMSUNG)：KM或M ，NBM：AAA ，西門子(SIEMENS)：HYB ，高士達(dá)LG-SEMICON：GM ，三菱(MITSUBISHI)：M5M ，富士通(FUJITSU)：MB ，摩托羅拉(MOTOROLA)：MCM ，MATSUHITA：MN ，OKI：MSM ，美凱龍(MICRON)：MT ，德州儀器(TMS)：TI ，東芝(TOSHIBA)：TD或TC ，日立(HITACHI)：HM ，STI：TM ，日電(NEC)：UPD ，IBM：BM ，NPNX：NN 。

　　SDRAM內(nèi)存：筆記本經(jīng)歷了Pentium時代，CPU的速度已經(jīng)越來越快，這時Intel公司提出了具有里程碑意義的內(nèi)存技術(shù)----SDRAM。SDRAM的全稱是Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步動態(tài)隨即存儲器)，就象它的名字所表明的那樣，這種RAM可以使所有的輸入輸出信號保持與系統(tǒng)時鐘同步。由于SDRAM的帶寬為64Bit，因此它只需要一條內(nèi)存就可以工作，數(shù)據(jù)傳輸速度比EDO內(nèi)存至少快了25%。SDRAM包括PC66、PC100、PC133等幾種規(guī)格。

　　DDR內(nèi)存：顧名思義：Double Data Rate(雙倍數(shù)據(jù)傳輸)的SDRAM。隨著臺式機(jī)DDR內(nèi)存的推出，現(xiàn)在筆記本電腦也步入了DDR時代，目前有DDR266和DDR333等規(guī)格，現(xiàn)在在主流的采用Pentium4-M、Pentium-M、P4核心賽揚(yáng)的機(jī)器都是采用DDR內(nèi)存，也有少量的Pentium3-M的機(jī)器早早跨入DDR時代。其實DDR的原理并不復(fù)雜，它讓原來一個脈沖讀取一次資料的SDRAM可以在一個脈沖之內(nèi)讀取兩次資料，也就是脈沖的上升緣和下降緣通道都利用上，因此DDR本質(zhì)上也就是SDRAM。而且相對于EDO和SDRAM，DDR內(nèi)存更加省電(工作電壓僅為2.25V)、單條容量更加大(已經(jīng)可以達(dá)到1GB)。

　　EDO內(nèi)存：這種內(nèi)存主要用于古老的MMX和486機(jī)型上面，也有部分廠家在PII的筆記本電腦中仍然使用EDO內(nèi)存，這種EDO單條最高容量只有64M，而且由于EDO內(nèi)存的工作電壓為5V和現(xiàn)在常用的SDRAM的3.3V相比更費(fèi)電一些，所以很快就被SDRAM內(nèi)存所取代。