內(nèi)存條常識(shí)

一、看懂內(nèi)存條
我們平常所說(shuō)的“內(nèi)存”大都是指“內(nèi)存條”。那么什么是“內(nèi)存條”呢？常見(jiàn)的“內(nèi)存條”又有哪些類(lèi)型呢？
1．內(nèi)存條的誕生
當(dāng)CPU在工作時(shí)，需要從硬盤(pán)等外部存儲(chǔ)器上讀取數(shù)據(jù)，但由于硬盤(pán)這個(gè)“倉(cāng)庫(kù)”太大，加上離CPU也很“遠(yuǎn)”，運(yùn)輸“原料”數(shù)據(jù)的速度就比較慢，導(dǎo)致CPU的生產(chǎn)效率大打折扣！為了解決這個(gè)問(wèn)題，人們便在CPU與外部存儲(chǔ)器之間，建了一個(gè)“小倉(cāng)庫(kù)”—內(nèi)存。
內(nèi)存雖然容量不大，一般只有幾十MB到幾百M(fèi)B，但中轉(zhuǎn)速度非?？?，如此一來(lái)，當(dāng)CPU需要數(shù)據(jù)時(shí)，事先可以將部分?jǐn)?shù)據(jù)存放在內(nèi)存中，以解CPU的燃眉之急。由于內(nèi)存只是一個(gè)“中轉(zhuǎn)倉(cāng)庫(kù)”，因此它并不能用來(lái)長(zhǎng)時(shí)間存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2．常見(jiàn)的內(nèi)存條
目前PC中所用的內(nèi)存主要有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等三種類(lèi)型。
曾經(jīng)主流—SDRAM
SDRAM（Synchronous DRAM）即“同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。SDRAM內(nèi)存條的兩面都有金手指，是直接插在內(nèi)存條插槽中的，因此這種結(jié)構(gòu)也叫“雙列直插式”，英文名叫“DIMM”。目前絕大部分內(nèi)存條都采用這種“DIMM”結(jié)構(gòu)。
隨著處理器前端總線的不斷提高，SDRAM已經(jīng)無(wú)法滿足新型處理器的需要了，早已退出了主流市場(chǎng)。
今日主流—DDR SDRAM
DDR SDRAM（簡(jiǎn)稱(chēng)DDR）是采用了DDR（Double Data Rate SDRAM，雙倍數(shù)據(jù)速度）技術(shù)的SDRAM，與普通SDRAM相比，在同一時(shí)鐘周期內(nèi)，DDR SDRAM能傳輸兩次數(shù)據(jù)，而SDRAM只能傳輸一次數(shù)據(jù)。
從外形上看DDR內(nèi)存條與SDRAM相比差別并不大，它們具有同樣的長(zhǎng)度與同樣的引腳距離。只不過(guò)DDR內(nèi)存條有184個(gè)引腳，金手指中也只有一個(gè)缺口，而SDRAM內(nèi)存條是168個(gè)引腳，并且有兩個(gè)缺口。
根據(jù)DDR內(nèi)存條的工作頻率，它又分為DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多種類(lèi)型：與SDRAM一樣，DDR也是與系統(tǒng)總線頻率 同步的，不過(guò)因?yàn)殡p倍數(shù)據(jù)傳輸，因此工作在133MHz頻率下的DDR相當(dāng)于266MHz的SDRAM，于是便用DDR266來(lái)表示。
小提示：工作頻率表示內(nèi)存所能穩(wěn)定運(yùn)行的最大頻率，例如PC133標(biāo)準(zhǔn)的SDRAM的工作頻率為133MHz，而DDR266 DDR的工作頻率為266MHz。對(duì)于內(nèi)存而言，頻率越高，其帶寬越大。
除了用工作頻率來(lái)標(biāo)示DDR內(nèi)存條之外，有時(shí)也用帶寬值來(lái)標(biāo)示，例如DDR 266的內(nèi)存帶寬為2100MB/ｓ，所以又用PC2100來(lái)標(biāo)示它，于是DDR333就是PC2700，DDR400就是PC3200了。
小提示：內(nèi)存帶寬也叫“數(shù)據(jù)傳輸率”，是指單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)內(nèi)存的數(shù)據(jù)量，通常以GB/ｓ表示。我們用一個(gè)簡(jiǎn)短的公式來(lái)說(shuō)明內(nèi)存帶寬的計(jì)算方法：內(nèi)存帶寬＝工作頻率×位寬/8×ｎ（時(shí)鐘脈沖上下沿傳輸系數(shù)，DDR的系數(shù)為2）。
由于DDR內(nèi)存條價(jià)格低廉，性能出色，因此成為今日主流的內(nèi)存產(chǎn)品。
過(guò)時(shí)的貴族—RDRAM
RDRAM（存儲(chǔ)器總線式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）是Rambus公司開(kāi)發(fā)的一種新型DRAM。RDRAM雖然位寬比SDRAM及DDR的64bit窄，但其時(shí)鐘頻率要高得多。
從外觀上來(lái)看，RDRAM內(nèi)存條與SDRAM、DDR SDRAM內(nèi)存條有點(diǎn)相似。
從技術(shù)上來(lái)看，RDRAM是一種比較先進(jìn)的內(nèi)存，但由于價(jià)格高，在市場(chǎng)上普及不是很實(shí)際。如今的RDRAM已經(jīng)退出了普通臺(tái)式機(jī)市場(chǎng)。
3．內(nèi)存的封裝
目前內(nèi)存的封裝方式主要有TSOP、BGA、CSP等三種，封裝方式也影響著內(nèi)存條的性能優(yōu)劣。
TSOP封裝：TOSP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封裝）的一個(gè)典型特點(diǎn)就是在封裝芯片的周?chē)龀龊芏嘁_。TSOP封裝操作方便，可靠性比較高，是目前的主流封裝方式。
BGA封裝：BGA叫做“球柵陣列封裝”，其最大的特點(diǎn)就是芯片的引腳數(shù)目增多了，組裝成品率提高了。采用BGA封裝可以使內(nèi)存在體積不變的情況下將內(nèi)存容量提高兩到三倍，與TSOP相比，它具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。
CSP封裝：CSP（Chip Scale Package，芯片級(jí)封裝）作為新一代封裝方式，其性能又有了很大的提高。ＣＳＰ封裝不但體積小，同時(shí)也更薄，更能提高內(nèi)存芯片長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的可靠性，芯片速度也隨之得到大幅度的提高。目前該封裝方式主要用于高頻DDR內(nèi)存。
二、內(nèi)存強(qiáng)檔
要進(jìn)一步了解內(nèi)存，以下的內(nèi)容一定不能錯(cuò)過(guò)。其中內(nèi)存的時(shí)鐘周期、存取時(shí)間和CAS延遲時(shí)間是衡量?jī)?nèi)存性能比較直接的重要參數(shù)，它們都可以在主板BIOS中設(shè)置，這個(gè)問(wèn)題將在以后介紹BIOS的時(shí)候詳細(xì)闡述。
1．時(shí)鐘周期（TCK）
TCK 是“Clock Cycle Time”的縮寫(xiě)，即內(nèi)存時(shí)鐘周期。它代表了內(nèi)存可以運(yùn)行的最大工作頻率，數(shù)字越小說(shuō)明內(nèi)存所能運(yùn)行的頻率就越高。時(shí)鐘周期與內(nèi)存的工作頻率是成倒數(shù)的， 即TCK＝1/F。比如一塊標(biāo)有“－10”字樣的內(nèi)存芯片，“－10”表示它的運(yùn)行時(shí)鐘周期為10ns，即可以在100MHz的頻率下正常工作。
2．存取時(shí)間（TAC）
TAC（Access Time From CLK）表示“存取時(shí)間”。與時(shí)鐘周期不同，TAC僅僅代表訪問(wèn)數(shù)據(jù)所需要的時(shí)間。如一塊標(biāo)有“－7J”字樣的內(nèi)存芯片說(shuō)明該內(nèi)存條的存取時(shí)間是7ns。 存取時(shí)間越短，則該內(nèi)存條的性能越好，比如說(shuō)兩根內(nèi)存條都工作在133MHz下，其中一根的存取時(shí)間為6ns，另外一根是7ns，則前者的速度要好于后 者。
3．CAS延遲時(shí)間（CL）
CL（CAS Latency）是內(nèi)存性能的一個(gè)重要指標(biāo)，它是內(nèi)存縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間。當(dāng)電腦需要向內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)時(shí)，在實(shí)際讀取之前一般都有一個(gè)“緩沖期”，而 “緩沖期”的時(shí)間長(zhǎng)度，就是這個(gè)CL了。內(nèi)存的CL值越低越好，因此，縮短CAS的周期有助于加快內(nèi)存在同一頻率下的工作速度。
4．奇偶校驗(yàn)（ECC）
內(nèi)存是一種數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn)“倉(cāng)庫(kù)”，而在頻繁的中轉(zhuǎn)過(guò)程中，一旦搞錯(cuò)了數(shù)據(jù)怎么辦？而ECC就是一種數(shù)據(jù)檢驗(yàn)機(jī)制。ECC不僅能夠判斷數(shù)據(jù)的正確性，還能糾正大多數(shù)錯(cuò)誤。普通PC中一般不用這種內(nèi)存，它們一般應(yīng)用在高端的服務(wù)器電腦中。
目前市場(chǎng)上主流的內(nèi)存有SDRAM和DDR SDRAM，內(nèi)存條品牌主要有金士頓、三星、宇瞻、富豪、現(xiàn)代等等。