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　　cpu內(nèi)存是什么：

　　CPU的概念與重要性能指標(biāo) CPU的英文全稱是Central Processing Unit，即中央處理器。CPU從雛形出現(xiàn)到發(fā)展壯大的今天，由于制造技術(shù)的越來越先進，其集成度越來越高，內(nèi)部的晶體管數(shù)達到幾百萬個。

　　雖然從最初的CPU發(fā)展到現(xiàn)在其晶體管數(shù)增加了幾十倍，但是CPU的內(nèi)部結(jié)構(gòu)仍然可分為控制單元，邏輯單元和存儲單元三大部分。CPU的性能大致上反映出了它所配置的那部微機的性能，因此CPU的性能指標(biāo)十分重要。 CPU主要的性能指標(biāo)有以下幾點：內(nèi)存內(nèi)存一般指的是隨機存取存儲器，簡稱RAM。

　　前面提到靜態(tài)內(nèi)存(SRAM)用作系統(tǒng)的高速緩存，而我們平常所提到的電腦的內(nèi)存指的是動態(tài)內(nèi)存,即DRAM。除此之外，還有各種用途的內(nèi)存，如顯示卡使用的VRAM，存儲系統(tǒng)設(shè)置信息的CMOS RAM等。

　　動態(tài)內(nèi)存中所謂的“動態(tài)”,指的是當(dāng)我們將數(shù)據(jù)寫入DRAM后，經(jīng)過一段時間，數(shù)據(jù)會丟失，因此需要一個內(nèi)存刷新(Memory Refresh)的操作，這要額外設(shè)計一個電路。我們可以這樣理解:一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決于電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長,代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是數(shù)據(jù)丟失的原因; 刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大于滿電量的1/2，則認為其代表1，并把電容充滿電;若電量小于1/2，則認為其代表0,并把電容放電，籍此來保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。

　　有了刷新操作，動態(tài)內(nèi)存的存取速度比靜態(tài)內(nèi)存要慢很多。內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸量很大,難免發(fā)生錯誤，在較高要求時，需要有檢驗錯誤和修正錯誤的功能。