bios怎么設(shè)置內(nèi)存的頻率
bios怎么設(shè)置內(nèi)存的頻率
有時(shí)，更新或添加內(nèi)存后，電腦運(yùn)行不穩(wěn)定，有可能就是內(nèi)存頻率太高原因，那么大家知道bios怎么設(shè)置內(nèi)存的頻率嗎?接下來(lái)大家跟著學(xué)習(xí)啦小編一起來(lái)了解一下bios設(shè)置內(nèi)存的頻率的解決方法吧。
bios設(shè)置內(nèi)存的頻率方法
一般內(nèi)存頻率設(shè)置需要在Bios中進(jìn)行設(shè)置，在操作系統(tǒng)中沒(méi)有直接進(jìn)行設(shè)置的接口和程序，要更改內(nèi)存頻率，可以參考如下兩種情況和步驟:
第一種情況：內(nèi)存混用更改頻率
只要用戶(hù)的主板能夠支持通過(guò)BIOS調(diào)節(jié)內(nèi)存的頻率就可以這樣使用，否則新買(mǎi)的內(nèi)存就會(huì)被降頻。通常新買(mǎi)的內(nèi)存規(guī)格參數(shù)都會(huì)比原來(lái)的老內(nèi)存高一些，例如老內(nèi)存規(guī)格為金士頓DDR3 1333 2GB，延遲時(shí)序CL=9，而新買(mǎi)的內(nèi)存為雜牌DDR3 1600 2GB，CL=7。在目前的主流主板BIOS中都有針對(duì)內(nèi)存的超頻設(shè)置選項(xiàng)，我們可以利用它們來(lái)對(duì)內(nèi)存參數(shù)進(jìn)行設(shè)置，從而能讓它們和平相處，協(xié)同工作。
不過(guò)通常都是可以混用的，高頻率的內(nèi)存會(huì)自動(dòng)降頻。但也會(huì)有不兼容的情況。
操作方法：
1、開(kāi)機(jī)后按下DEL鍵(請(qǐng)參考不同主板的進(jìn)入BIOS界面的按鍵)進(jìn)入主板BIOS的“OverDrive”界面，使用不同型號(hào)主板的用戶(hù)需要自己找到相應(yīng)的界面?？梢钥吹紹IOS自動(dòng)識(shí)別了內(nèi)存，將“Memory boot Mode”選為“Easy Memory”，“Memory Frequency”內(nèi)存頻率選項(xiàng)和“Memory Performance Mode”內(nèi)存高級(jí)模式選項(xiàng)都被設(shè)為“Auto”自動(dòng)。一般來(lái)說(shuō)，如果和原有的1333MHz內(nèi)存一起使用的時(shí)候，1600MHz的內(nèi)存將被默認(rèn)降頻到1333MHz的主頻來(lái)運(yùn)行，不會(huì)對(duì)硬件造成任何影響，但是在高級(jí)參數(shù)中，一些雜牌內(nèi)存在混用時(shí)時(shí)序規(guī)格會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題，因此需要將它們?cè)O(shè)置為和老內(nèi)存相同的數(shù)值。
2、取消“Memory Frequency”和“Memory Performance Mode”選項(xiàng)的“Auto”的設(shè)置，將前者設(shè)為“1333MHz“，而這時(shí)在“Memory Performance Mode”下的“CAS Latency”、“RAS/CAS Delay”、“Row Precharge Time”、“Min Active RAS”變?yōu)榭烧{(diào)，將它們?cè)O(shè)為9-9-9-30。然后保存重新開(kāi)機(jī)，即可正常進(jìn)入系統(tǒng)了。雖然并沒(méi)有發(fā)揮出新內(nèi)存的原有性能，但至少可以和老內(nèi)存的參數(shù)匹配了，混用變得更為穩(wěn)定。
3、按”F10“保存退出。
第二種情況：想要提升內(nèi)存性能
1、同第一種情況的步驟一進(jìn)入BIOS界面。
2、然后點(diǎn)擊內(nèi)存頻率一欄，手動(dòng)選擇DDR3-1600MHz。。
3、按“F10”保存退出。
注意事項(xiàng)：
1、如果是Intel的CPU，請(qǐng)保證內(nèi)存頻率在CPU能接受的范圍內(nèi)，超出這個(gè)范圍就可能造成無(wú)法開(kāi)機(jī)的情況;AMD是沒(méi)有關(guān)系的。
2、如果不知道自己的Intel CPU能支持多大頻率的內(nèi)存，可以去中關(guān)村查詢(xún)一下自己型號(hào)的CPU的詳細(xì)參數(shù)。
3、有時(shí)候，內(nèi)存混用會(huì)出現(xiàn)沒(méi)法點(diǎn)亮機(jī)器的時(shí)候，這時(shí)候重新安裝一下CMOS電池即可。
BIOS設(shè)置內(nèi)存條頻率方法
1.內(nèi)存同步超頻
對(duì)于內(nèi)存超頻而言，根據(jù)不同主板，可以采用不同的超頻方案，同時(shí)內(nèi)存超頻又與CPU有著直接或間接的關(guān)系，一般來(lái)說(shuō)，內(nèi)存超頻的實(shí)現(xiàn)方法有兩種：一是內(nèi)存同步，即調(diào)整CPU外頻并使內(nèi)存與之同頻工作;二是內(nèi)存異步，即內(nèi)存工作頻率高出CPU外頻。
2.內(nèi)存異步超頻
在內(nèi)存同步工作模式下，內(nèi)存的運(yùn)行速度與CPU外頻相同。而內(nèi)存異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術(shù)可令內(nèi)存工作在高出或低于系統(tǒng)總線速度33MHz或3:4、4:5(內(nèi)存:外頻)的頻率上，這樣可以緩解超頻時(shí)經(jīng)常受限于內(nèi)存的“瓶頸”。
3.增加電壓幫助超頻
內(nèi)存頻率提升了，所以?xún)?nèi)存功耗也隨之增加，但在默認(rèn)情況下，主板BIOS中內(nèi)存電壓參數(shù)是被設(shè)置為內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)頻率的數(shù)值，通常來(lái)說(shuō)，為了確保內(nèi)存超頻的穩(wěn)定性，需要增加內(nèi)存電壓，很多主板BIOS設(shè)置中都提供了內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)功能，同時(shí)內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)級(jí)別一般以0.05V或0.1V為檔次逐漸調(diào)節(jié)，內(nèi)存電壓參數(shù)調(diào)節(jié)越細(xì)微，對(duì)超頻越有幫助。 CPU有著直接或間接的關(guān)系，一般來(lái)說(shuō)，內(nèi)存超頻的實(shí)現(xiàn)方法有兩種：一是內(nèi)存同步，即調(diào)整CPU外頻并使內(nèi)存與之同頻工作;二是內(nèi)存異步，即內(nèi)存工作頻率高出CPU外頻。
選擇高級(jí)頻率設(shè)置
這個(gè)設(shè)置不僅能調(diào)節(jié)內(nèi)存頻率，還可以對(duì)處理器進(jìn)行調(diào)節(jié)。不過(guò)內(nèi)存超頻本來(lái)就是和CPU有著很大關(guān)系的。
1.首先將內(nèi)存頻率設(shè)置打開(kāi)成手動(dòng)
2.分頻器一共可以分為6-18共七個(gè)檔，對(duì)應(yīng)的內(nèi)存頻率為DDR3-800到DDR3-2400，具體算法就是CPU外頻為133，通過(guò)內(nèi)存分頻后，將兩者相乘就是最后的頻率。分別調(diào)至10
顯示內(nèi)存頻率為DDR33-1333頻率調(diào)至12顯示內(nèi)存頻率為DDR3-1600一般主板支持DDR3-1600。
另外，有的AMD主板在頻率選擇上比較直接，就標(biāo)識(shí)DDR3-800、DDR3-1333、DDR3-1600等等，所以用戶(hù)直接選擇即可。
BIOS中調(diào)整內(nèi)存頻率方法：
重啟電腦，啟動(dòng)過(guò)程中按Del或Delete鍵，進(jìn)入BIOS設(shè)置界面，通過(guò)方向鍵選中“Advanced Chipset Features”項(xiàng)，回車(chē)(即按Enter鍵)，打開(kāi)此項(xiàng)設(shè)置頁(yè)面(如圖1)，通過(guò)向下方向鍵，切換到“Memory Frequency For” (內(nèi)存頻率)，修改它的值。修改它的方法，通過(guò)鍵盤(pán)上的“Page UP”/“Page Down”來(lái)調(diào)高或調(diào)底。更改完成后，按F10保存退出BIOS即可。
圖1
提醒：
并不是每塊主板BIOS中都有調(diào)整內(nèi)存頻率選項(xiàng)，有的BIOS中沒(méi)有此項(xiàng)。只能更換內(nèi)存來(lái)解決問(wèn)題了。
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