臺(tái)式機(jī)用8g內(nèi)存條有必要嗎
臺(tái)式機(jī)用8g內(nèi)存條有必要嗎
我的臺(tái)式機(jī)想換8g內(nèi)存條，有這個(gè)必要嗎?下面由學(xué)習(xí)啦小編給你做出詳細(xì)的臺(tái)式機(jī)用8g內(nèi)存條是否必要說法介紹!希望對(duì)你有幫助!
臺(tái)式機(jī)用8g內(nèi)存條是否必要說法一：
就當(dāng)前系統(tǒng)和應(yīng)用需求而言是有必要的。
原因分析：
1、目前操作系統(tǒng)和應(yīng)用軟件已進(jìn)入64位時(shí)代;
2、64位的系統(tǒng)和軟件能夠充分利用4G以上大內(nèi)存;
3、就目前主流的win7系統(tǒng)而言，8g內(nèi)存能夠保證系統(tǒng)更流暢的運(yùn)行;
4、8G內(nèi)存能夠保證多程序、多窗口同時(shí)運(yùn)行的實(shí)際需求，不至于卡頓。
臺(tái)式機(jī)用8g內(nèi)存條是否必要說法二：
配這個(gè)cpu就說明 你是為了 辦公網(wǎng)頁多開看電影而配的 現(xiàn)在確實(shí)用不了8g，但是8g內(nèi)存是趨勢，以后的流氓軟件 網(wǎng)頁flash會(huì)越來越占內(nèi)存，到時(shí)候早晚要配的，還不如現(xiàn)在一步到位。另外說下win7 64位 裸開機(jī)是 占用800mb內(nèi)存 識(shí)別4g以上內(nèi)存
臺(tái)式機(jī)用8g內(nèi)存條是否必要說法三：
1:系統(tǒng)卡的問題.出在內(nèi)存條接觸不良的原因最大..故障解決方法:清理內(nèi)存條金手指上的氧化銅.
2:你的電腦.建議再加一支同品牌內(nèi)存.
內(nèi)存條絕對(duì)不要用單支..cpu 顯卡 內(nèi)存 這三者長期處於高溫.只有內(nèi)存沒有風(fēng)扇保護(hù).最容易出問題..所以.內(nèi)存條絕對(duì)不要用單支的觀念很重要.
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內(nèi)存條DDR2時(shí)代
DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力(即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取)。換句話說，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。
此外，由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)?；叵肫餌DR的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個(gè)人電腦的DDR200經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度;隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對(duì)內(nèi)存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運(yùn)行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢所趨。
隨著CPU 性能不斷提高，我們對(duì)內(nèi)存性能的要求也逐步升級(jí)。不可否認(rèn)，僅僅依高頻率提升帶寬的DDR遲早會(huì)力不從心，因此JEDEC 組織很早就開始醞釀DDR2 標(biāo)準(zhǔn)，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平臺(tái)開始對(duì)DDR2內(nèi)存的支持，所以DDR2內(nèi)存將開始演義內(nèi)存領(lǐng)域的今天。
DDR2 能夠在100MHz 的發(fā)信頻率基礎(chǔ)上提供每插腳最少400MB/s 的帶寬，而且其接口將運(yùn)行于1.8V 電壓上，從而進(jìn)一步降低發(fā)熱量，以便提高頻率。此外，DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能指標(biāo)和中斷指令，提升內(nèi)存帶寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標(biāo)準(zhǔn)來看，針對(duì)PC等市場的DDR2內(nèi)存將擁有400、533、667MHz等不同的時(shí)鐘頻率。高端的DDR2內(nèi)存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內(nèi)存將采用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內(nèi)存將采用0.13微米的生產(chǎn)工藝，內(nèi)存顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。
內(nèi)存技術(shù)在2005年將會(huì)毫無懸念，SDRAM為代表的靜態(tài)內(nèi)存在五年內(nèi)不會(huì)普及。QBM與RDRAM內(nèi)存也難以挽回頹勢，因此DDR與DDR2共存時(shí)代將是鐵定的事實(shí)。
PC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory)也是很重要的一員。VCM即“虛擬通道存儲(chǔ)器”，這也是大多數(shù)較新的芯片組支持的一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，VCM內(nèi)存主要根據(jù)由NEC公司開發(fā)的一種“緩存式DRAM”技術(shù)制造而成，它集成了“通道緩存”，由高速寄存器進(jìn)行配置和控制。在實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐瑫r(shí)，VCM還維持著對(duì)傳統(tǒng)SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM內(nèi)存稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在于不論是否經(jīng)過CPU處理的數(shù)據(jù)，都可先交于VCM進(jìn)行處理，而普通的SDRAM就只能處理經(jīng)CPU處理以后的數(shù)據(jù)，所以VCM要比SDRAM處理數(shù)據(jù)的速度快20%以上?？梢灾С諺CM SDRAM的芯片組很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。
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