學習啦小編和廣大的電腦愛好者分享內(nèi)存條怎樣區(qū)分是幾代的?希望能夠給大家?guī)砀鄬嵱玫碾娔X知識!

　　怎樣區(qū)分內(nèi)存條是幾代的

　　防呆缺口：位置不同防插錯

　　防呆缺口，目的是讓我們安裝內(nèi)存時以免插錯。我們可以看見三代內(nèi)存上都只有一個防呆缺口，大家注意一下這三個卡口的左右兩邊的金屬片，就可以發(fā)現(xiàn)缺口左右兩邊的金屬片數(shù)量是不同的。

　　比如DDR 內(nèi)存單面金手指針腳數(shù)量為92個(雙面184個)，缺口左邊為52個針腳，缺口右邊為40個針腳;DDR2 內(nèi)存單面金手指120個(雙面240個)，缺口左邊為64個針腳，缺口右邊為56個針腳;DDR3內(nèi)存單面金手指也是120個(雙面240個)，缺口左邊為72個針腳，缺口右邊為48個針腳。

　　芯片封裝：濃縮是精華

　　在不同的內(nèi)存條上，都分布了不同數(shù)量的塊狀顆粒，它就是我們所說的內(nèi)存顆粒。同時我們也注意到，不同規(guī)格的內(nèi)存，內(nèi)存顆粒的外形和體積不太一樣，這是因為內(nèi)存顆粒“包裝”技術(shù)的不同導致的。一般來說，DDR內(nèi)存采用了TSOP(Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封裝)封裝技術(shù)，又長又大。而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA(底部球形引腳封裝)封裝技術(shù)，與TSOP相比，內(nèi)存顆粒就小巧很多，F(xiàn)BGA封裝形式在抗干擾、散熱等方面優(yōu)勢明顯。

　　TSOP是內(nèi)存顆粒通過引腳焊接在內(nèi)存PCB上的，引腳由顆粒向四周引出，所以肉眼可以看到顆粒與內(nèi)存PCB接口處有很多金屬柱狀觸點，并且顆粒封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點是成本低、工藝要求不高，但焊點和PCB的接觸面積較小，使得DDR內(nèi)存的傳導效果較差，容易受干擾，散熱也不夠理想。

　　FBGA封裝把DDR2和DDR3內(nèi)存的顆粒做成了正方形，而且體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，內(nèi)存PCB上也看不到DDR內(nèi)存芯片上的柱狀金屬觸點，因為其柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，所有的觸點就被“包裹”起來了，外面自然看不到。其優(yōu)點是有效地縮短了信號的傳導距離。

　　速度與容量：成倍提升

　　前面我們教大家如何計算內(nèi)存帶寬大小，其實我們在選擇內(nèi)存和CPU搭配的時候就是看內(nèi)存帶寬是否大于或者等于CPU的帶寬，這樣才可以滿足CPU的數(shù)據(jù)傳輸要求。

　　而我們從帶寬公式(帶寬=位寬×頻率÷8)可以得知，和帶寬關(guān)系最緊密的就是頻率。這也是為什么三代內(nèi)存等效頻率一升再升的原因之一，其目的就是為了滿足CPU的帶寬。

　　不僅速度上有所提升，而且隨著我們應用的提高，我們也需要更大容量的單根內(nèi)存，DDR時代賣得最火的是512MB和1GB的內(nèi)存，而到了DDR2時代，兩根1GB內(nèi)存就只是標準配置了，內(nèi)存容量為4GB的電腦也逐漸多了起來。甚至在今后還會有單根8GB的內(nèi)存出現(xiàn)。這說明了人們的對內(nèi)存容量的要求在不斷提高。

　　延遲值：一代比一代高

　　任何內(nèi)存都有一個CAS延遲值，這就好像甲命令乙做事情，乙需要思考的時間一樣。一般而言，內(nèi)存的延遲值越小，傳輸速度越快。

　　從DDR、DDR2、DDR3內(nèi)存身上看到，雖然它們的傳輸速度越來越快，頻率越來越高，容量也越來越大，但延遲值卻提高了，譬如DDR內(nèi)存的延遲值(第一位數(shù)值大小最重要，普通用戶關(guān)注第一位延遲值就可以了)為1.5、2、2.5、3;而到了DDR2時代，延遲值提升到了3、4、5、6;到了DDR3時代，延遲值也繼續(xù)提升到了5、6、7、8或更高。

　　功耗：一次又一次降低

　　電子產(chǎn)品要正常工作，肯定要有電。有電，就需要工作電壓，該電壓是通過金手指從主板上的內(nèi)存插槽獲取的，內(nèi)存電壓的高低，也反映了內(nèi)存工作的實際功耗。一般而言，內(nèi)存功耗越低，發(fā)熱量也越低，工作也更穩(wěn)定。DDR內(nèi)存的工作電壓為2.5V，其工作功耗在10W左右;而到了DDR2時代，工作電壓從2.5V降至1.8V;到了DDR3內(nèi)存時代，工作電壓從1.8V降至1.5V，相比DDR2可以節(jié)省30%～40%的功耗。為此我們也看到，從DDR內(nèi)存發(fā)展到DDR3內(nèi)存，盡管內(nèi)存帶寬大幅提升，但功耗反而降低，此時內(nèi)存的超頻性、穩(wěn)定性等都得到進一步提高。

　　制造工藝：不斷提高

　　從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高的工藝水平會使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低。譬如DDR內(nèi)存顆粒廣泛采用0.13微米制造工藝，而DDR2顆粒采用了0.09微米制造工藝，DDR3顆粒則采用了全新65nm制造工藝(1微米=1000納米)。

　　總結(jié)

　　內(nèi)存的知識就講到這里了，總的說來，內(nèi)存主要扮演著CPU數(shù)據(jù)倉庫的角色，所以CPU性能的提升，內(nèi)存的容量和性能都要跟得上，但也不可盲目地把內(nèi)存容量配得過大。對于大多數(shù)用戶來說2GB DDR2 800的內(nèi)存就足夠了，而偏高端一點的電腦使用總?cè)萘繛?GB的內(nèi)存就差不多了。

　　內(nèi)存條怎樣區(qū)分是幾代的?有什么區(qū)別?

　　1.SDR兩個缺口，單面84針腳，雙面168針腳，電壓3.3v，內(nèi)存顆粒長方形(已淘汰)。

　　2.DDR1(第一代)一個缺口，單面92針腳，雙面184針腳，電壓2.5v，內(nèi)存顆粒長方形 工作頻率266，333，400。

　　3.DDR2(第二代)一個缺口，單面120針腳，雙面240針腳，電壓1.8v，內(nèi)存顆粒正方形 工作頻率533，667，800。

　　4.DDR3(第三代)一個缺口，單面120針腳，雙面240針腳，電壓1.5v，內(nèi)存顆粒正方形 工作頻率1066，1333，1800