主板知識(shí)詳解:支持內(nèi)存類型?下面是學(xué)習(xí)啦小編跟大家分享的是主板知識(shí)詳解:支持內(nèi)存類型，歡迎大家來(lái)閱讀學(xué)習(xí)。

　　主板知識(shí)詳解:支持內(nèi)存類型

　　支持內(nèi)存類型，是指主板所支持的具體內(nèi)存類型。不同的主板，所支持的內(nèi)存類型是不相同的。內(nèi)存類型主要有以下幾種：

　　FPM 內(nèi)存

　　EDO 內(nèi)存

　　SDRAM 內(nèi)存

　　RDRAM 內(nèi)存

　　DDR SDRAM 內(nèi)存

　　DDR2 內(nèi)存

　　ECC(Error Correction Coding 或 Error Checking and Correcting)并不是內(nèi)存類型，而是一種具有自動(dòng)糾錯(cuò)功能的內(nèi)存，英特爾的82430HX 芯片組就開始支持它。使用該芯片組的主板，都可以安裝使用 ECC 內(nèi)存。但由于 ECC 內(nèi)存成本比較高，所以主要應(yīng)用在要求系統(tǒng)運(yùn)算可靠性比較高的商業(yè)電腦中，如服務(wù)器/工作站等。由于實(shí)際上存儲(chǔ)器出錯(cuò)的情況不會(huì)經(jīng)常發(fā)生，而且普通的主板也并不支持 ECC 內(nèi)存，所以，一般的家用與辦公電腦也不必采用 ECC 內(nèi)存。

　　一般情況下，一塊主板只支持一種內(nèi)存類型，但也有例外。有些主板具有兩種內(nèi)存插槽，可以使用兩種內(nèi)存。如以前有些主板能使用 EDO 和SDRAM，現(xiàn)在有些主板就支持兩種內(nèi)存類型(SDRAM 和 DDR SDRAM)，采用兩種類型的內(nèi)存插槽(藍(lán)色和黑色)來(lái)區(qū)分。值得注意的是，在這些主板上，不能同時(shí)使用兩種內(nèi)存，而只能使用其中的一種。這是因?yàn)槠潆姎庖?guī)范和工作電壓是不同的，混用會(huì)引起內(nèi)存損壞和主板損壞的問(wèn)題。

　　1、FPM 內(nèi)存

　　FPM 是 Fast Page Mode(快頁(yè)模式)的簡(jiǎn)稱。是較早的 PC 機(jī)普遍使用的內(nèi)存，它每隔 3 個(gè)時(shí)鐘脈沖周期，傳送一次數(shù)據(jù)?，F(xiàn)在早就被淘汰掉了。

　　2、EDO 內(nèi)存

　　EDO 是 Extended Data Out(擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出)的簡(jiǎn)稱。它取消了主板與內(nèi)存兩個(gè)存儲(chǔ)周期之間的時(shí)間間隔，每隔 2 個(gè)時(shí)鐘脈沖周期，傳輸一次數(shù)據(jù)，大大地縮短了存取時(shí)間，使存取速度提高 30%，達(dá)到 60ns。EDO 內(nèi)存主要用于 72 線的 SIMM 內(nèi)存條，以及采用 EDO 內(nèi)存芯片的PCI 顯示卡。這種內(nèi)存流行在 486 以及早期的奔騰計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，它有 72 線和 168 線之分，采用 5V 工作電壓，帶寬 32 bit，必須兩條或四條成對(duì)使用，可用于英特爾 430FX/430VX 甚至 430TX 芯片組主板上。目前也已經(jīng)被淘汰，只能在某些老爺機(jī)上見到。

　　3、SDRAM 內(nèi)存

　　SDRAM 是 Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)的簡(jiǎn)稱。是前幾年普遍使用的內(nèi)存形式。SDRAM 采用3.3v 工作電壓，帶寬 64 位，SDRAM 將 CPU 與 RAM 通過(guò)一個(gè)相同的時(shí)鐘鎖在一起，使 RAM 和 CPU 能夠共享一個(gè)時(shí)鐘周期，以相同的速度同步工作。與 EDO 內(nèi)存相比，速度能提高 50%。SDRAM 基于雙存儲(chǔ)體結(jié)構(gòu)，內(nèi)含兩個(gè)交錯(cuò)的存儲(chǔ)陣列，當(dāng) CPU 從一個(gè)存儲(chǔ)體或陣列訪問(wèn)數(shù)據(jù)時(shí)，另一個(gè)就已為讀寫數(shù)據(jù)做好了準(zhǔn)備，通過(guò)這兩個(gè)存儲(chǔ)陣列的緊密切換，讀取效率就能得到成倍的提高。SDRAM 不僅可用作主存，在顯示卡上的顯存方面，也有廣泛應(yīng)用。SDRAM 曾經(jīng)是長(zhǎng)時(shí)間使用的主流內(nèi)存，從 430TX 芯片組到 845 芯片組，都支持 SDRAM。但隨著 DDR SDRAM 的普及，SDRAM 也正在慢慢退出了主流市場(chǎng)。

　　4、RDRAM 內(nèi)存

　　RDRAM 是 Rambus Dynamic Random Access Memory(存儲(chǔ)器總線式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)的簡(jiǎn)稱。是 Rambus 公司開發(fā)的具有系統(tǒng)帶寬、芯片到芯片接口設(shè)計(jì)的內(nèi)存，它能在很高的頻率范圍下通過(guò)一個(gè)簡(jiǎn)單的總線傳輸數(shù)據(jù)，同時(shí)使用低電壓信號(hào)，在高速同步時(shí)鐘脈沖的兩邊沿傳輸數(shù)據(jù)。最開始支持 RDRAM 的是英特爾 820 芯片組，后來(lái)又有 840，850 芯片組等。RDRAM 最初得到了英特爾的大力支持，但由于其高昂的價(jià)格以及Rambus 公司的專利許可限制，一直未能成為市場(chǎng)主流，其地位被相對(duì)廉價(jià)而性能同樣出色的 DDR SDRAM 迅速取代，市場(chǎng)份額很小。

　　5、DDR SDRAM 內(nèi)存

　　DDR SDRAM 是 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory(雙數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)的簡(jiǎn)稱。是由 VIA 等公司為了與 RDRAM 相抗衡而提出的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。DDR SDRAM 是 SDRAM 的更新?lián)Q代產(chǎn)品，采用 2.5v 工作電壓，它允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，這樣，不需要提高時(shí)鐘的頻率，就能加倍提高 SDRAM 的速度，并具有比 SDRAM 多一倍的傳輸速率和內(nèi)存帶寬。例如 DDR 266 與PC 133 SDRAM 相比，工作頻率同樣是 133MHz，但內(nèi)存帶寬達(dá)到了 2.12 GB/s，比 PC 133 SDRAM 高一倍。目前主流的芯片組都支持 DDRSDRAM，是目前最常用的內(nèi)存類型。

　　6、DDR2 內(nèi)存

　　DDR2 的定義：DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM，是由 JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。它與上一代 DDR 內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同。就是雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升沿和下降沿同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，?DDR2 內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代 DDR 內(nèi)存的預(yù)讀取能力(即：4bit 數(shù)據(jù)讀預(yù)取)。換句話說(shuō)，DDR2 內(nèi)存，每個(gè)時(shí)鐘能夠以 4 倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線 4 倍的速度運(yùn)行。

　　此外，由于 DDR2 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有 DDR2 內(nèi)存均采用 FBGA 封裝形式，而不同于目前廣泛應(yīng)用的 TSOP/TSOP-II 封裝形式。FBGA 封裝，可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為 DDR2 內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來(lái)頻率的發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。回想起 DDR 的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個(gè)人電腦的 DDR200，經(jīng)過(guò) DDR266、DDR333，到今天的雙通道 DDR400 技術(shù)，第一代 DDR 的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過(guò)常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度。隨著 Intel 最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對(duì)內(nèi)存帶寬的要求是越來(lái)越高，擁有更高更穩(wěn)定運(yùn)行頻率的 DDR2 內(nèi)存將是大勢(shì)所趨。

　　DDR2 與 DDR 的區(qū)別：在了解 DDR2 內(nèi)存諸多新技術(shù)前，先讓我們看一組 DDR 和 DDR2 技術(shù)對(duì)比的數(shù)據(jù)。

　　1) 延遲問(wèn)題：

　　從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2 的實(shí)際工作頻率是 DDR 的兩倍。這得益于 DDR2 內(nèi)存擁有兩倍于標(biāo)準(zhǔn) DDR 內(nèi)存的 4BIT 預(yù)讀取能力。換句話說(shuō)，雖然 DDR2 和 DDR 一樣，都采用了在時(shí)鐘的上升沿和下降沿同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，?DDR2 擁有兩倍于 DDR 的預(yù)讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。也就是說(shuō)，在同樣 100MHz 的工作頻率下，DDR 的實(shí)際頻率為 200MHz，而 DDR2 則可以達(dá)到 400MHz。

　　這樣也就出現(xiàn)了另一個(gè)問(wèn)題：在同等工作頻率的 DDR 和 DDR2 內(nèi)存中，后者的內(nèi)存延時(shí)要慢于前者。舉例來(lái)說(shuō)，DDR 200 和 DDR2-400 具有相同的延遲，而后者具有高一倍的帶寬。實(shí)際上，DDR2-400 和 DDR 400 具有相同的帶寬，它們都是 3.2GB/s，但是 DDR 400 的核心工作頻率是 200MHz，而 DDR2-400 的核心工作頻率是 100MHz，也就是說(shuō) DDR2-400 的延遲要高于 DDR 400。

　　2) 封裝和發(fā)熱量：

　　DDR2 內(nèi)存技術(shù)最大的突破點(diǎn)，其實(shí)不在于用戶們所認(rèn)為的兩倍于 DDR 的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDR2 可以獲得更快的頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn) DDR 的 400MHZ 限制。

　　DDR 內(nèi)存通常采用 TSOP 芯片封裝形式。這種封裝形式，可以很好的工作在 200MHz 上，當(dāng)頻率更高時(shí)，它過(guò)長(zhǎng)的管腳就會(huì)產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容，這會(huì)影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是 DDR 的核心頻率很難突破 275MHZ 的原因。而 DDR2 內(nèi)存均采用 FBGA 封裝形式。不同于目前廣泛應(yīng)用的 TSOP 封裝形式，F(xiàn)BGA 封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為 DDR2 內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來(lái)頻率的發(fā)展提供了良好的保障。

　　DDR2 內(nèi)存采用 1.8V 電壓，相對(duì)于 DDR 標(biāo)準(zhǔn)的 2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小功耗與更小發(fā)熱量，這一點(diǎn)的變化是意義重大的。

　　3) DDR2 采用的新技術(shù)：

　　除了以上所說(shuō)的區(qū)別外，DDR2 還引入了三項(xiàng)新的技術(shù)，它們是 OCD、ODT 和 Post CAS。

　　OCD(Off-Chip Driver)——也就是所謂的離線驅(qū)動(dòng)調(diào)整，DDR2 通過(guò) OCD 可以提高信號(hào)的完整性。DDR2 通過(guò)調(diào)整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的電阻值，使兩者電壓相等。使用 OCD 通過(guò)減少 DQ-DQS 的傾斜，來(lái)提高信號(hào)的完整性;通過(guò)控制電壓來(lái)提高信號(hào)品質(zhì)。

　　ODT ——ODT 是內(nèi)建核心的終結(jié)電阻器。我們知道，使用 DDR SDRAM 的主板上，為了防止數(shù)據(jù)線終端反射信號(hào)，需要大量的終結(jié)電阻。它大大增加了主板的制造成本。實(shí)際上，不同的內(nèi)存模組對(duì)終結(jié)電路的要求是不一樣的。終結(jié)電阻的大小，決定了數(shù)據(jù)線的信號(hào)比和反射率。終結(jié)電阻小，則數(shù)據(jù)線信號(hào)反射低，但是信噪比也較低;終結(jié)電阻高，則數(shù)據(jù)線的信噪比高，但是信號(hào)反射也會(huì)增加。因此，主板上的終結(jié)電阻并不能非常好的匹配內(nèi)存模組，還會(huì)在一定程度上影響信號(hào)品質(zhì)。DDR2 可以根據(jù)自已的特點(diǎn)，內(nèi)建合適的終結(jié)電阻。這樣，可以保證最佳的信號(hào)波形。使用 DDR2 不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號(hào)品質(zhì)，這是 DDR 不能比擬的。

　　Post CAS ——它是為了提高 DDR2 內(nèi)存的利用效率而設(shè)定的。在 Post CAS 操作中，CAS 信號(hào)(讀寫/命令)能夠被插到 RAS 信號(hào)后面的一個(gè)時(shí)鐘周期，CAS 命令可以在附加延遲(Additive Latency)后面保持有效。原來(lái)的 tRCD(RAS 到 CAS 和延遲)被 AL(AdditiveLatency)所取代，AL 可以在 0，1，2，3，4 中進(jìn)行設(shè)置。由于 CAS 信號(hào)放在了 RAS 信號(hào)后面一個(gè)時(shí)鐘周期，因此，ACT 和 CAS 信號(hào)永遠(yuǎn)也不會(huì)產(chǎn)生碰撞沖突。

　　總的來(lái)說(shuō)，DDR2 采用了諸多的新技術(shù)，改善了 DDR 的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢等諸多不足，但相信隨著技術(shù)的不斷提高和完善，這些問(wèn)題終將得到解決。