教你如何區(qū)分內(nèi)存條1代2代的方法
教你如何區(qū)分內(nèi)存條1代2代的方法
你還在為不知道教你如何區(qū)分內(nèi)存條1代2代的方法而不知所措么?下面來是學(xué)習(xí)啦小編為大家收集的教你如何區(qū)分內(nèi)存條1代2代的方法，歡迎大家閱讀：。
教你如何區(qū)分內(nèi)存條1代2代的方法：
一代: DDR133(PC1600)、DDR266(PC2100)、DDR333(PC2700)、DDR400(PC3200)
二代：DDR2 533(PC4200)、DDR2 667(PC5300)、 DDR2 800(PC6400)
方法1.看金手指 DDR內(nèi)存的金手指是184pin的 DDR2的金手指是240pin的
方法2.開機后用cpu-z檢測 或者everest檢測
方法3.看頻率 DDR多為266 333 400的頻率，DDR2多為533 667 800的頻率
注意，如果你的主板只支持一代，而你卻裝上了二代的話你的主板就會燒掉的!很危險哦~
內(nèi)存條的容量并非越大越好，它的配置，必須遵循以下基本原則：
1、條數(shù)：2的N次方條(N=0、1、2...，例如1、2、4條);
2、容量：2的N次方(N=0、1、2...，例如1、2、4G);
3、頻率必須一致;
樓主使用1G+512M=1.5(G)，顯然不符合容量配比原則，反而會比只用1G還來得慢，原因就是它們之間失去配比兼容性;
新機的各項物理指標、電氣性能良好，掩蓋了“配比不佳”的問題;而一旦機器陳舊，性能將下降，特別是灰塵、污垢使得主機電源、CPU、顯卡的運行速率降低，那么“配比不佳”的矛盾就突出地顯現(xiàn)出來;
建議樓主拔下512M內(nèi)存，此時的顯存運行速度不會低于1.5G時的速度。
為什么1條1G和1條512M的內(nèi)存條只顯示1G呢?那是因為兩條內(nèi)存條的品牌不同，做工設(shè)計也不一樣，有的主板無法正確識別的緣故
總而言之，不兼容的內(nèi)存混合使用，問題較多，危害不少，輕則降低整機運行速度，增加主機電源的額外負擔，重則有可能燒毀內(nèi)存條，甚至CPU。
有關(guān)內(nèi)存的幾個常見問題
1.內(nèi)存的單面與雙面，單Bank與雙Bank的區(qū)別?
單面內(nèi)存與雙面內(nèi)存的區(qū)別在于單面內(nèi)存的內(nèi)存芯片都在同一面上，而雙面內(nèi)存的內(nèi)存芯片分布在兩面。而單Bank與雙Bank的區(qū)別就不同了。Bank從物理上理解為北橋芯片到內(nèi)存的通道，通常每個通道為64bit。一塊主板的性能優(yōu)劣主要取決于它的芯片組。不同的芯片組所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列芯片組支持4個Bank，而SiS的645系列芯片組
則能支持6個Bank。如果主板只支持4個Bank，而我們卻用6個Bank的話，那多余的2個Bank就白白地浪費了。雙面不一定是雙Bank，也有可能是單Bank，這一點要注意。
2.內(nèi)存的2-2-3通常是什么意思?
這些電腦硬件文章經(jīng)常出現(xiàn)的參數(shù)就是在主板的BIOS里面關(guān)于內(nèi)存參數(shù)的設(shè)置了。通常說的2-2-3按順序說的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP為RAS預(yù)充電時間，數(shù)值越小越好;tRCD是RAS到CAS的延遲，數(shù)值越小越好;CL(CAS Latency)為CAS的延遲時間，這是縱向地址脈沖的反應(yīng)時間，也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內(nèi)存的重要標志之一。
3.內(nèi)存的雙通道技術(shù)和單通道有什么不同?
什么是雙通道DDR技術(shù)呢?需要說明的是，它并非我們以前所介紹的DDRII，而是一種可以讓2條DDR內(nèi)存共同使用，數(shù)據(jù)并行傳輸?shù)募夹g(shù)。雙通道DDR技術(shù)的優(yōu)勢在于，它可以讓內(nèi)存帶寬在原來的基礎(chǔ)上增加一倍，這對于P4處理器的好處可謂不言而喻。大家都知道400MHz FSB的P4處理器和主板傳輸數(shù)據(jù)的帶寬為3.2GB/s，而533MHz FSB的P4處理器的吞吐能力更是達到了4.3GB/s，但是目前除了I850E支持的Rambus PC1066規(guī)范外，根本沒有內(nèi)存可以滿足處理器的需要，我們最常用的DDR333本身僅具有2.7GB/s的帶寬。
4.DDR-Ⅱ和現(xiàn)在的DDR內(nèi)存有什么不同?
DDR-II內(nèi)存是相對于現(xiàn)在主流的DDR-I內(nèi)存而言的，它們的工作時鐘預(yù)計將為400MHz或更高。主流內(nèi)存市場將從現(xiàn)在的DDR-333產(chǎn)品直接過渡到DDR-II。DDR-II內(nèi)存將采用0.13微米工藝，容量為18MB/36MB/72MB，最大288MB，字節(jié)架構(gòu)為X8、X18、X36，讀取反應(yīng)時間為2.5個時鐘周期。通過將DLL(delay-locked
loop，延時鎖定回路)設(shè)計到內(nèi)存中(這與Rambus設(shè)計理念相似)，輸出的數(shù)據(jù)效率提升65%左右，DDR數(shù)據(jù)傳送方式為每周期32個字節(jié)，并且可以隨工作頻率的提升達到更高性能。已知道的規(guī)格有：系統(tǒng)內(nèi)存方面包括400MHz(4.8GB/s帶寬)、533MHz(5.6GB/s帶寬)、667MHz(6.4GB/s帶寬)三種，顯卡(默認規(guī)格)方面包括800MHz、1000MHz兩種。所有的DDR-II內(nèi)存均在1.8V下工作，單條容量至少有512MB。DDR-II管腳數(shù)量有200pin、220pin、240pinFBGA封裝形式之分，與現(xiàn)在的DDR內(nèi)存不相容。
學(xué)會識別內(nèi)存
內(nèi)存是計算機不可缺少的部件之一，而內(nèi)存條又是J商們經(jīng)常“下刀”和假冒偽劣產(chǎn)品比較集中的東西。目前市場上充斥著很多假冒名牌內(nèi)存，以低容量內(nèi)存冒充高容量，以低速內(nèi)存冒充高速度，這就要求用戶學(xué)會怎樣識別假冒內(nèi)存的規(guī)格和內(nèi)存芯片編號。一般方法是看SPD芯片中的信息和內(nèi)存芯片上的編號，由于SPD芯片內(nèi)的信息是內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范，因此一般用戶在柜臺購買內(nèi)存時是看不到的，所以用戶只能依靠內(nèi)存上的編號來識別。由于各生產(chǎn)廠家的內(nèi)存編號不近相同，因此下面我們就以較為常見金士頓ValueRAM系列舉例說明內(nèi)存編號上代表的信息。
下面我們以常見的品牌內(nèi)存金士頓ValueRAM DDR內(nèi)存編號為例：
編號為ValueRAM KVR400X64C25/256
1、KVR代表kingston value RAM
2、外頻速度
3、一般為X
4、64為沒有ECC;72代表有ECC
5、有S字符表示筆記本專用內(nèi)存，沒有S字符表示普通的臺式機或是服務(wù)器內(nèi)存
6、3：CAS=3;2.5：CAS=2.5;2：CAS=2
7、分隔符號
8、內(nèi)存的容量
金士頓ValueRAM SDRAM內(nèi)存命名方式也和DDR一樣。
另外我們在選擇內(nèi)存時，時常聽到一些諸如：-5ns，內(nèi)存帶寬，PC-2100等計量單位。它們究竟代表什么含義?相關(guān)聯(lián)的單位之間的換算關(guān)系是怎樣的?我想可能有不少人還是不太清楚。下面我就為大家簡單介紹一下。
Hz(赫茲)用來表示時鐘頻率，通常以MHz和GHz作為計量單位。
ns(納秒, ns為十億分之一秒)通常用來表示物理內(nèi)存和顯存的存取速度。其值越小，極限工作頻率就越高。
DDR SDRAM 在命名原則上也與SDRAM 不同。SDRAM 的命名是按照時鐘頻率來命名的，例如 PC100 與PC133。而 DDR SDRAM 則是以數(shù)據(jù)傳輸量作為命名原則，例如PC2100 以及 PC2700，單位 MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR266 其實與 PC2100 是相同的規(guī)格，數(shù)據(jù)傳輸量為 2128MB/s，而 DDR333與PC2700 也是一樣的情形。
??另外我們還可以通過一些內(nèi)存自身特有的標記來識別，比如Kingston為了防偽在內(nèi)存上將會出現(xiàn)采用特殊工藝制造的內(nèi)存防偽號碼，這種防偽措施是采用將內(nèi)存防偽標貼上的其中4位數(shù)和采用特殊工藝烙印在內(nèi)存PCB板上的內(nèi)存編號中4位數(shù)是否一一對應(yīng)的方法來辨別真假，采用這種防偽措施不但可以給那些造假者以最沉痛的打擊，而且能有助于我們對內(nèi)存品牌和真假的識別。
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