ram是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，可以隨時(shí)讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲媒介。以下是由學(xué)習(xí)啦小編整理關(guān)于什么是ram的內(nèi)容，希望大家喜歡!

　　ram的特點(diǎn)

　　隨機(jī)存取

　　所謂“隨機(jī)存取”，指的是當(dāng)存儲器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r(shí)，所需要的時(shí)間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關(guān)。相對的，讀取或?qū)懭腠樞蛟L問(Sequential Access)存儲設(shè)備中的信息時(shí)，其所需要的時(shí)間與位置就會有關(guān)系。它主要用來存放操作系統(tǒng)、各種應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)等。

　　易失性

　　當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)RAM不能保留數(shù)據(jù)。如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入一個(gè)長期的存儲設(shè)備中(例如硬盤)。RAM和ROM相比，兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會自動消失，而ROM不會自動消失，可以長時(shí)間斷電保存。

　　對靜電敏感

　　正如其他精細(xì)的集成電路，隨機(jī)存取存儲器對環(huán)境的靜電荷非常敏感。靜電會干擾存儲器內(nèi)電容器的電荷，引致數(shù)據(jù)流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機(jī)存取存儲器前，應(yīng)先用手觸摸金屬接地。

　　訪問速度

　　現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲器幾乎是所有訪問設(shè)備中寫入和讀取速度最快的，存取延遲和其他涉及機(jī)械運(yùn)作的存儲設(shè)備相比，也顯得微不足道。

　　需要刷新(再生)

　　現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲器依賴電容器存儲數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1(二進(jìn)制)，未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數(shù)據(jù)會漸漸隨時(shí)間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態(tài)，然后按照原來的狀態(tài)重新為電容器充電，彌補(bǔ)流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機(jī)存取存儲器的易失性。

　　ram的類別

　　根據(jù)存儲單元的工作原理不同， RAM分為靜態(tài)RAM和動態(tài)RAM。

　　靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)

　　靜態(tài)存儲單元是在靜態(tài)觸發(fā)器的基礎(chǔ)上附加門控管而構(gòu)成的。因此，它是靠觸發(fā)器的自保功能存儲數(shù)據(jù)的。

　　動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)

　　動態(tài)RAM的存儲矩陣由動態(tài)MOS存儲單元組成。動態(tài)MOS存儲單元利用MOS管的柵極電容來存儲信息，但由于柵極電容的容量很小，而漏電流又不可能絕對等于0，所以電荷保存的時(shí)間有限。為了避免存儲信息的丟失，必須定時(shí)地給電容補(bǔ)充漏掉的電荷。通常把這種操作稱為“刷新”或“再生”，因此DRAM內(nèi)部要有刷新控制電路，其操作也比靜態(tài)RAM復(fù)雜。盡管如此，由于DRAM存儲單元的結(jié)構(gòu)能做得非常簡單，所用元件少，功耗低，已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。

　　ram的組成

　　RAM電路由地址譯碼器、存儲矩陣和讀寫控制電路三部分組成，如圖所示。

　　存儲矩陣由觸發(fā)器排列而成，每個(gè)觸發(fā)器能存儲一位數(shù)據(jù)(0或1)。通常將每一組存儲單元編為一個(gè)地址，存放一個(gè)“字”;每個(gè)字的位數(shù)等于這一組單元的數(shù)目。存儲器的容量以“字?jǐn)?shù)×位數(shù)”表示。地址譯碼器將每個(gè)輸入的地址代碼譯成高(或低)電平信號，從存儲矩陣中選中一組單元，使之與讀寫控制電路接通。在讀寫控制信號的配合下，將數(shù)據(jù)讀出或?qū)懭搿?/p>

　　合下，將數(shù)據(jù)讀出或?qū)懭搿?br/> 看過“ram有什么特點(diǎn)”的人還看了：

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