盆栽霍山石斛種植方法
現(xiàn)在很多朋友都很喜歡自己在家種植霍山石斛，不僅美觀漂亮，還可以食用，但是并不知道在霍山石斛種植過程的一些方法，下面是學(xué)習(xí)啦小編精心為你整理的盆栽霍山石斛種植方法，一起來看看。
盆栽霍山石斛種植方法
分株繁殖：
選擇生長較密的值株.開過花后.將其從盆中取出，除去老很從叢生莖的基部切開，分切時盡最少傷根系，只掩剪開相互連接的很狀呈部位，根部用手位開，不必用刀切。以主株為一組，再將老根進(jìn)一步剪除。將新芽靠近盆中央，填入新的基質(zhì)并壓實，即成新的植株。
分芽繁殖：
盆裁3年以上的植株或部分秋石斛莖的頂部或基部長有小植株時，可以進(jìn)行切芽繁殖。選擇具有3~4片葉，2~3條根，根長4~5厘米的小植株，從母株上切下，用草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口，將苗植入盆中即可。汪意要淺植。栽培2年后一般可開花成為商品花。
扦插繁殖：
扦插繁殖可以結(jié)合花后換盆和分株時一起進(jìn)行。石觸蘭多具有細(xì)長、帶肉質(zhì)的莖，莖上有許多節(jié)，節(jié)上能長芽，所以能用扦播繁殖。選擇未開花且較充實的整做播條，將技條切成數(shù)段，每段具2~3個節(jié)，在傷口上涂上草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口。將莖一段一段地插入苔蘚和泥炭混合的基質(zhì)中，一半露在外面，放于半陰、潮濕處。插后1周不必澆水，然后經(jīng)常噴霧保濕，適當(dāng)遮陰。經(jīng)過1~2個月，在節(jié)部有新芽長出，新芽下部長出2~3條小根形成新的植株。將新植株連向老莖一起上盆，栽培2~3年可開花。扦插時間以4~8月為好。
栽培石斛通常選用四壁多孔的塑料或陶瓷花盆，用松樹皮塊、花生殼、鋸末、木炭塊等作盆栽材料。根據(jù)石斛苗的大小，選擇不同規(guī)格的花盆，但不宜用大盆栽小苗口上述栽好材料在使用前必需在清水中浸泡1天以上備用。盆底要多墊大瓦片或碎磚塊，深度至盆底約1/3處，然后將石斛苗放于盆中央，并在一旁插一細(xì)竹竿以固定石斛苗，再填入其他栽培材料，注意根與根之間用材料隔開，輕輕將材料壓緊口栽好的蘭盆先放在陰涼陰涼并有散射光處，僅向葉面上噴些水，勿向盆內(nèi)澆水。約10~15天后，待萌發(fā)出新根后兩移至陰棚下養(yǎng)護(hù)。生長季節(jié)澆水要干濕相間保持適度干薄餅肥水。生長旺盛期樹每天澆水一次，干旱季節(jié)和炎夏還需經(jīng)常在花盆四周地面上噴水，以保持較高的空氣濕度，并要注意通風(fēng)良好。冬季休眠期應(yīng)少澆水。石斛忌強光直射，春秋兩季早上可見陽光，冬季可置光照充足處，其他時間置于具有明亮散射光而又通風(fēng)的地方。越冬溫度保持在8~10℃即可。
霍山石斛種植技術(shù)
鐵皮石斛種植應(yīng)選擇有清潔水源通風(fēng)的陽坡、半陽坡為宜，種植鐵皮石斛光照一般為漫射光和散射光，光照強度在3000—5000lux。生長溫度要求在8—32℃之間，生長期在25℃左右，高溫季節(jié)在通風(fēng)條件好的情況下可達(dá)32℃左右，但時間不能過長。冬季要求在8℃以上，無霜期250—300天以上。
石斛生長發(fā)育需要較高的空氣濕度，但又不耐水淹，根際水分過重根系就會腐爛，一般根際周圍的含水量應(yīng)該在30%左右。石斛種植應(yīng)該保持良好地通風(fēng)，通風(fēng)不良可能會導(dǎo)致莖條細(xì)弱，病蟲害嚴(yán)重。
選擇環(huán)境空氣質(zhì)量好，周圍無產(chǎn)礦，通風(fēng)良好的地方，對于鐵皮石斛的生長發(fā)育有著極其重要的作用。
此外還得給石斛提供高基質(zhì)的土壤，施用有機肥能增加土壤中各種糖類。有了糖類，有機物在降解中就能釋放大量能量，土壤微生物的生長、發(fā)育、繁殖活動就有了能源。這樣就能為鐵皮石斛提供更多的根際微生物種群，石斛生長的也就越健壯，產(chǎn)量就越高。
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